Sistemi e Componenti per la Conversione dell`Energia da Fonti

Sistemi e Componenti per la
Conversione dell’Energia da Fonti
Rinnovabili
ing. Vincenzo Mulone
Dipartimento di Ingegneria Meccanica
telefono (06 7259 7170)
[email protected]
Solare Fotovoltaico
Impianti fotovoltaici: Cenni Storici
• 1839: Becquerel scopre l’effetto fotoelettrico
– I semiconduttori sono stati scoperti 100 anni dopo, la
tecnologia non era dunque adatta per sfruttare l’effetto al
meglio
• I laboratori Bell hanno prodotto la prima cella
fotovoltaica nel 1954, con efficienza del 5% per
applicazioni spaziali
• Oggi le celle fotovoltaiche hanno raggiunto efficienza
del 25% (risultati di laboratorio), ed i costi sono stati
abbattuti, anche se ancora sono decisamente
maggiori rispetto alle soluzioni tradizionali
L’effetto fotoelettrico
• Il fotone è una particella neutra che ha energia dipendente dalla frequenza,
e che ha massa a riposo nulla
• La luce attraverso i fotoni può fornire energia per spostare gli elettroni
attraverso gli orbitali
– E (lambda=1.1 micron)=E_gap(Si) (valore tipico)=1.12 eV
– visibile tra i 380 nm (violetto) e i 760 nm (rosso)
• L’energia di ionizzazione consente di separare completamente l’elettrone
dal nucleo (external photo-electric effect)
• Nel caso dell’H2 il fotone deve avere lunghezza d’onda più bassa di 90
nm (X-ray)
• Nel caso delle celle fotovoltaiche, i fotoni appartengono al visibile,
ultravioletto ed infrarosso (energia più ridotta rispetto a X-ray): si parla in
questo caso di internal photo-electric effect
Livelli energetici e semiconduttori
• Nei singoli atomi gli elettroni assumono livelli di energia ben determinati,
mentre nel caso dei solidi si parla di energy bands
– i livelli energetici si confondono
• La banda più elevata occupata dagli elettroni si chiama valence band, quella
successiva si chiama conduction band; lo spazio compreso si chiama
forbidden band; il gap tra le due bande si chiama band gap (E_g)
• I solidi possono essere conduttori, semiconduttori o isolanti: nei metalli gli
elettroni riempiono parzialmente la banda di conduzione, e le bande
possono anche sovrapporsi
• Nel caso dei semiconduttori la conduction band è vuota, ma dato il ridotto
band gap gli elettroni possono facilmente saltare alla conduction band, (per
esempio mediante l’en di un fotone) al contrario degli isolanti (band gap >
5eV)
I semiconduttori
• I pannelli fotovoltaici impiegano semiconduttori
• Il silicio (Si), Germanio (Ge), e lo stagno (Sn) : IV periodo, 4 elettroni di valenza
(esterni), legame cristallino a grata tramite legami covalenti
• L’atomo centrale ripartisce gli elettroni di valenza con i 4 atomi confinanti
• Il Silicio è il materiale più utilizzato per applicazioni PV
• Si è abbondantemente disponibile, ma non in forma pura
Drogaggio
•
ni=intrinsic carrier concentration (intrinsic=causata dall’aumento della temperatura), a
temperatura ambiente ni(Si) è 1.45X10^10 cm^-3. La densità degli elettroni liberi nei
metalli è di 10^22 cm^-3
– Si è un buon isolante a temperatura ambiente
– In Si puro n=p
•
Aggiungendo elementi III colonna (B, Al, Ga, In) o della V (P, As, Sb)
– Se P si lega a Si, quattro elettroni formano covalenti e uno rimane libero, e pertanto viene
“donato” alla conduction band (Pè chiamato donor)
– Se B si lega a Si, prende un elettrone dalla banda di valenza per fare legami, creando una
carica positiva nella banda di valenza. (B è chiamato acceptor)
– Si può così perfettamente controllare la conducibilità attraverso il drogaggio. Valori tipici di n
e di p sono rispettivamente 10^15 e 10^19 cm^-3
Il diodo, la giunzione p-n
•
L’unione metallurgica di due p-n forma una giunzione
– Prima della giunzione p ha grande concentrazione di lacune e pochi elettroni, viceversa n
– Al momento della giunzione, le lacune diffondono istantaneamente dal lato p verso il lato n,
che viene controbilanciata dalla migrazione di elettroni n
•
Al momento della migrazione gli elettroni si ricombinano con le lacune, lasciando carica negativamente la zona p
nei pressi della giunzione. Viceversa, le lacune diffuse si ricombinano con gli eletroni nella zona n lasciando carica
positivamente la zona n nei pressi della giunzione
– Si creano così aree positive e negative (SCR, Space-Charge-Regions), rispettivamente nell’n
e nel p, che si oppone all’ulteriore migrazione di lacune e di elettroni, finchè non si
stabilisce un equilibrio
•
La space charge region quindi si impoverisce di charge carriers , comportandosi di fatto come un isolante
– L’equilibrio è garantito dallo stabilirsi di un campo elettrico, che è anche responsabile
dell’effetto fotoelettrico
– Si crea, in definitiva, un diffusion voltage (a=acc;d=don), dalla zona n alla zona p, la cui
entità è calcolabile così come lo spessore della space charge region
Caratteristica I-V del diodo
•
Quando si applica una diff V al diodo, l’equilibrio
viene alterato
–
–
–
Se si aumenta la tensione dal lato n (reverse bias), il
campo elettrico alla giunzione risulta aumentato ,
opponendosi al passaggio di corrente, a meno che
non si forzi un certo passaggio di corrente, per es.,
attraverso l’azione della luce (fotodiodo). Quando il
reverse bias aumenta indefinitamente, al
raggiungimento del breakdown voltage passa
corrente, danneggiando il più delle volte
permanentemente il diodo
Se si aumenta la tensione dal lato p, il campo
elettrico alla giunzione viene diminuito, e pertanto la
diffusione di lacune ed elettroni è promossa, in
maniera significativa quando viene applicata una
tensione pari al diffusion voltage V_d
La caratteristica I-V ideale è ben rappresentata
dall’eq. di Shockley
•
•
•
•
–
V_D=tensione ai capi del diodo
n=ideality factor (quality factor): varia tra 1 e 2
V_T=thermal voltage: costante dipendente dalla temperatura
attraverso V_T=kT/e (k=cost. Boltzmann, e=carica dell’elettrone)
I_s= reverse bias saturation current
L’eq. di Shockley non tiene conto del breakdown
Celle fotovoltaiche: funzionamento
• Quando gli elettroni sono portati al livello della conduction band, grazie al
campo elettrico generato riescono ad arrivare alla n-region, chiudendo il
circuito attraverso il carico
• Le lacune (e la corrente, il cui verso positivo è contrario al flusso degli
elettroni) viaggiano in verso contrario rispetto agli elettroni
Celle fotovoltaiche: funzionamento
• La cella può convertire solo una parte dell’energia dei fotoni
– I fotoni di energia minore del band gap non consentono il superamento della space-charge
region
– L’energia incidente può anche essere riflessa, ed una parte è trasmessa attraverso la cella.
Gli elettroni possono anche ricombinarsi con le lacune, ricadendo nella valence band
– In ogni caso, per quanto riguarda i fotoni aventi energia sufficiente, la cella utilizza solo la
band-gap, il resto è dissipato sotto forma di calore
Celle fotovoltaiche: funzionamento
• Le lacune (cariche positive) sono
generate sul polo n, e quindi per
effetto della eccitazione transitano
verso il lato p (in verso opposto al
flusso degli elettroni), e si rendono
quindi disponibili all’anodo (p)
• Collegando un resistore, il diodo
genera una tensione, il cui valore è
calcolabile immaginando di fare un
modello semplificato del
comportamento di una cella
fotovoltaica
Celle fotovoltaiche: funzionamento
• La fotocorrente è
schematizzabile come
un generatore di
corrente
• Applicando Kirchhoff, si
ottiene la
I_PV=I_diode-I_photo
(verso positivo alla
corrente entrante nel
pannello, costituito
dall’unione tra
generatore di corrente
e diodo)
Descrizione elettrica delle celle fotovoltaiche: circuito
equivalente
•
•
•
Nello schema elettrico equivalente, il generatore di corrente eroga la fotocorrente
I_ph, dipendente dalla radiazione
Dalla legge di Kirchoff si può risolvere la corrente al circuito (I), in funzione della
fotocorrente I_ph e della corrente che attraversa il diodo I_D
Esistono modelli più complicati (due diodi, diverse resistenze), che si comportano
meglio per calcoli più dettagliati
Celle fotovoltaiche: funzionamento
• L’energia utilizzabile, facendo salvi effetti di riflessione
e trasmissione, dipende dalla lunghezza d’onda e dal
band-gap
– Esiste un band-gap ottimale (1.4 eV), tale che sia la corrente che la
tensione a circuito aperto generino la massima potenza possibile
Celle fotovoltaiche: funzionamento
•
La quantum efficiency QE misura
l’efficienza di conversione dell’energia
incidente contenuta nei fotoni
–
•
•
•
E’ il rapporto tra le cariche generate ed il
numero di fotoni incidenti
La spectral response S(lambda),
misurata in A/W, misura la sensibilità
in termini di corrente/potenza.
La spectral response misura il
rapporto tra la carica dell’elettrone e
l’energia del fotone: la sensibilità è
massima per fotoni con lunghezza
d’onda prossima a quella
corrispondente al band gap
S (λ ) = QE e
hc
λ
La deviazione dal comportamento
ideale dipende dal comportamento
del materiale protettivo (vetro) a
basse lunghezze d’onda
Celle fotovoltaiche: funzionamento
• Se messa in corto circuito, la cella PV genera una corrente I_ph che può
essere calcolata mediante
– Area della cella A
– Spectal Response S(lambda), ovvero sensibilità (A/W)
– Spettro della radiazione E(lambda), per es. AM1.5
I ph = ∫ S (λ )E (λ )Adλ
• La potenza radiativa assorbita dipende a sua volta dal coefficiente di
assorbimento del materiale (alfa) e dallo spessore d del semiconduttore
E = E0 (1 − exp(− αd ))
• Il coeff di assorbimento è anche funzione della lunghezza d’onda: tale
dipendenza deve essere considerata per calcoli più precisi
• Celle di Si cristallino devono avere uno spessore di almeno 200 micron per
avere elevato assorbimento
Aspetti costruttivi di moduli fotovoltaici
•
Il Si si trova nella sabbia di quarzo (SiO2), estratta tramite processi ad alta temperatura
(1800°C)
– Si ottiene il metallurgical-grade silicon MG-Si, con purezza del 98%
– Per l’industria dei computer è necessaria invece una purezza di vari N (e.g. 99.999999)
•
•
•
Il Si è miscelato con HCl per ottenere tricloroesano (SiHCl3) e H2; infine SiHCl3 e H2
formano Si ad elevata purezza depositato sotto forma di rods con diametro fino a 30 cm e
lunghezza fino a 2m
I rods sono tagliati in wafer ed utilizzati per la produzione di celle policristalline
I wafer sono puliti e drogati, sono aggiunti i contatti (metalli o leghe di Al o Ag) ed un
coating antiriflesso (di solito TiO2, che dà alla cella il tipico colore blu) e protezioni di vetro
(superiore) e plastica (inferiore)
–
Il contatto inferiore è unico (tutta l’area), mentre quelli superiori sono a griglia per non ridurre il fattore di vista
Modulo policristallino Suntech Power STP225
• 1.64 m^2, eroga 225W di picco, efficienza 13.6%
Tecnologie pannelli fotovoltaici
•
Le celle disponibili commercialmente sono di Si
cristallino o thin-film
–
–
–
•
La tecnologia thin-film sta prendendo sempre più piede
–
–
–
–
•
Il Si cristallino è di gran lunga più comune, dato che i
processi manifatturieri sono più consolidati (>50 anni), e
che il materiale grezzo (Si) è abbondante
Purtuttavia, il Si utilizzato nelle celle PV deve essere puro
al 99.9999% (molto costoso)
Single crystalline è più costoso di poly-cristalline, ma ha
efficienza più elevata
Deposizione sequenziale di strati sottili dei diversi
materiali (struttura molto sottile nel complesso): processo
manifatturiero semplice
La quantità di materiale utilizzato è molto minore
Lo spessore può essere di qualche micron, contro le
diverse centinaia della tecnologia tradizionale
L’efficienza è minore di quelle tradizionali, anche se
recentemente sono stati compiuti notevoli progressi
(grazie allo studio dei materiali)
Multi-junction sono ancora lontane dalla
commercializzazione
Descrizione elettrica delle celle fotovoltaiche: condizioni di
massima potenza
• Dato che la corrente di corto circuito I_sc dipende dalla radiazione E, ne
segue che la V_OC è funzione del ln della radiazione
• Sia la I_sc che la V_OC sono funzione della temperatura (I_sc cresce e V_OC
decresce)
– Densità di corrente teorica massima (AM 1.5): 46 mA/cm^2; commerciali hanno 28-35
• La cella eroga massima potenza ad
una determinata tensione, ed in
corrispondenza di un punto
operativo che prende il nome di
MPP (Maximum Power Point)
• La potenza è funzione decrescente
della T (I_sc aumenta meno di
quanto diminuisca la V_OC)
Comportamento al variare della temperatura
Efficienza
• Il Filling Factor è definito dal rapporto tra il rettangolo di potenza massima
ed il rettangolo definito dalla I_sc e dal V_OC
• E’ possibile definire l’efficienza a partire dalla radiazione e dall’area,
attraverso il FF
• In definitiva, i parametri fondamentali sono riportati di seguito
Collegamenti in serie o parallelo
• I moduli fotovoltaici possono essere collegati in serie o in
parallelo
– Per le celle in serie si sommano le tensioni: più moduli in serie formano
una stringa
– Per le celle in parallelo si sommano le correnti a parità di tensione
– Dal punto di vista teorico converrebbe mettere tutte le celle in serie (le
perdite ohmiche sono f(I), ma bisogna rispettare le specifiche del
sistema di conversione in termini di tensione ammessa
Andamento tipico della curva corrente-tensione per un modulo in silicio
policristallino da 200 W e della curva corrente-tensione dell’intero campo
fotovoltaico alle condizioni STC
Calcolo delle perdite
•
•
•
•
•
Ridotta o eccessiva energia dei fotoni
rappresentano la maggior parte delle
perdite (circa 55%)
Le perdite elettriche sono anche
considerevoli (potenziale operativo della
cella minore di V_OC)
L’effetto di ricombinazione dipende dal
fatto che gli elettroni possono
ricombinarsi con le lacune prima di
rendersi disponibili al circuito elettrico
Riflessione e perdite resistive sono meno
importanti
Anche la temperatura determina ulteriori
perdite (la cella si comporta meglio a
bassa T)
Diodi di by-pass
• Ciascun modulo è equipaggiato con un diodo di bypass, in modo da salvaguardare il modulo stesso in
caso di ombreggiamento
Comportamento della stringa con una cella ombreggiata
• Se una cella è ombreggiata, diminuisce la I_SC e quindi l’unica
soluzione per erogare la stessa corrente degli altri moduli è V<0
(si comporta come carico)
• La caratteristica complessiva si sposta radicalmente
Caratteristica I-V in funzione del numero di diodi
• In caso di ombreggiamento di una cella, il numero di
celle per diodo cambia notevolmente la forma della
caratteristica, e quindi il decremento di prestazioni
Curva di potenza con diodi di by-pass ed in caso di
ombreggiamento
• L’ombreggiamento può dare luogo a più MPP
Moduli fotovoltaici: dati tecnici
Calcolo della producibilità
• La producibilità annua per unità di superficie può
essere calcolata a partire dalla formula
prod = Eirraggiata ⋅η pannelli ⋅η globale
• Nel caso dell’Italia, e di orientamento ottimale, si può
stimare l’efficienza media pari a 0.14 ed il rendimento
globale pari a 0.78, ottenendo
prod = 1750
kWh
kWh
⋅
0
.
14
⋅
0
.
78
=
191
m 2 anno
m 2 anno
• In fase di progettazione, il calcolo della producibilità è
fondamentale per studi di fattibilità affidabili
Perdite per temperatura
• L’aumento di temperatura porta ad uno
schiacciamento della curva caratteristica
• La perdita di potenza è dell’ordine di 0.3-0.5%/°C
Perdite per riflessione, sporcamento, livello di irraggiamento
• Le perdite per riflessione dovute al vetro protettivo
delle celle possono essere considerate dell’ordine del
2-3%
• Le perdite per sporcamento sono dovute a depositi
sul vetro protettivo possono essere considerate
dell’ordine dell’1%
• Le perdite per livello di irraggiamento sono dovute al
mancato funzionamento dell’inverter quando la
radiazione è troppo bassa per generare tensioni di
stringa ammissibili. Ordine del 2-3%
Perdite per mismatching e Ohmiche
• Le perdite per mismatching intervengono
qualora le stringhe collegate in parallelo
allo stesso gruppo di conversione non
presentino prestazioni identiche: nessuna
delle due stringhe lavorerà in condizioni di
potenza massima
• Le perdite per mismatching non
esisterebbero qualora si potesse adottare
un sistema di conversione per ogni stringa
o un inverter multistringa
• Le perdite ohmiche sono dovute alla
dissipazione per effetto Joule nelle
connessioni elettriche, e dipendono da
sezione e lunghezza dei cablaggi
Perditanom =
Ppersa
Pnom
kI n2 L
= 0.02
Pnom S
Curva caratteristica corrente–tensione di due stringhe di
moduli dello stesso numero e tipo ma potenza leggermente
diversa (comunque entro il range di tolleranza)
• 0.02 - resistività rame
• k – costante: 2 circuiti in continua e monofase, 1.73 circuiti trifase
• In – corrente nominale (A)
• L – lunghezza del cavo (m)
• S – sezione del cavo (mmq)
•Pnom – potenza nominale circuito
Accoppiamento con il carico
• Carico puramente resistivo
– V=I/R
– Punto di funzionamento=incrocio
– Regolando il valore della resistenza si può far
variare il punto di funzionamento, per es., per
ottenere il massimo della potenza (MPP)
– In figura la cella opera vicino ad MPP per quanto
riguarda 400W/m^2, ma non per 1000W/m^2
– Sarebbe, per es., molto meglio operare la cella
con V=cost
Off-Grid: DC-DC converter
•
Un DC-DC converter consente di fare operare la cella a tensione variabile,
garantendo tensione costante ai capi dell’uVlizzatore (I_1≠I_2, tali che
V_1I_1=ηV2_I2)
– Buoni DC-DC hanno efficienza anche >90%
• Se il carico ha una tensione minore della cella si usa un buck converter,
altrimenti si utilizza un boost converter
– L’energia viene immagazzinata nell’induttanza e poi rilasciata, attraverso l’adozione di
switch
• Esistono anche altri tipi: buck-boost, flyback (con trasf.), push-pull (con più
switch)
Buck converter
DC-DC converter
Boost converter
Off-Grid: MPP tracker
• Le fluttuazioni dell’energia radiativa e della
temperatura possono indurre alta variabilità durante il
funzionamento delle celle
– Sensore per misurare la temperatura
– Il parametro delta consente di adattare il punto di lavoro
della cella, in modo da “inseguire” l’MPP
Connessione alla rete: corrente alternata
• La maggior parte delle celle
opera in connessione con la
rete elettrica (AC)
– Dispositivi power electronics
sono utilizzati per convertire
DC in AC (power MOSFET,
bipolar power transistors,
IGBT, thyristors, triacs, GTO)
– Il tiristore , attraverso la i_G,
controlla il passaggio della
corrente attraverso il diodo:
alternando la corrente tra A e
G riesco a produrre corrente
alternata
Inverter
• L’inverter trasforma la forma d’onda continua, CC, della corrente elettrica
prodotta dal generatore fotovoltaico, nella forma d’onda CA, ovvero
corrente alternata, ad un livello di tensione e frequenza compatibili e in
fase con quelli della rete elettrica, a cui viene connesso in parallelo
l’impianto solare fotovoltaico;
• Permette di far funzionare istantaneamente il generatore fotovoltaico, nelle
condizioni di massima efficienza, ovvero al punto di massima potenza
(MPPT - Maximum Power Point Tracker);
• Permette il monitoraggio dell’intero sistema, impianto fotovoltaico – rete
elettrica, permettendo di operare in condizioni di sicurezza.
Gli inverter possono essere classificati in funzione del tipo di conversione,
centralizzata o distribuita, che attuano nel trasferimento di potenza,
riconoscendoli in due macro-famiglie:
Inverter centrali:
conversione centralizzata
Inverter parziali:
conversione distribuita
Inverter centrali
Inverter centrali un unico inverter per l’intero generatore fotovoltaico, il quale è
costituito dal parallelo di m-stringhe nominalmente equivalenti, ciascuna dotata del
proprio diodo di blocco.
Vantaggi:
Efficienza di trasformazione
Costo
Svantaggi:
Mismatching
Totale fermo impianto
Sistema di monitoraggio
Stringhe equivalenti
Esempio di conversione centralizzata – Inverter centrale
Inverter parziali
Inverter parziali il generatore fotovoltaico è parzializzato su più inverter.
Vantaggi:
Modularità
Basso mismatching
Fermo parziale
impianto
Monitoraggio
intrinseco
Ombreggiamenti locali
Stringhe non
equivalenti
Svantaggi:
Costo
Spazio
Cablaggi
Esempio di conversione distribuita – Inverter di sottocampo
Inverter multistringa
Casi particolari Inverter Multistringa:
ricevono in ingresso n-sottocampi costituiti da
m-stringhe nominalmente non equivalenti, in
quanto sono in grado di inseguire due o più
punti di massima di massima potenza (MPP)
del generatore fotovoltaico.
Prestazioni inverter
• La corretta scelta dell’inverter è fondamentale per
avere prestazioni soddisfacenti
Interfacciamento stringa-inverter
L’interfacciamento, va costruito relazionando la terna-inverter:
Vmax - tensione massima applicabile in ingresso all’inverter
VMPPT min - tensione minima del range cui il convertitore riesce ad inseguire l’MPP
VMPPT max - tensione massima del range cui il convertitore riesce ad inseguire l’MPP
ad una terna di parametri caratteristici di funzionamento del generatore fotovoltaico,
rispettivamente:
VOC (Tmin) - tensione a vuoto ottenuta in corrispondenza della temperatura minima
VMin (Tmax) - livello di tensione nel punto di massima potenza, alla Tmax
VMax (Tmin) - livello di tensione nel punto di massima potenza, alla Tmin
Interfacciamento stringa-inverter
Devono essere verificate le disuguaglianze:
VOC (Tmin) < Vmax
VMin (Tmax) > VMPPT min
VMax (Tmin) < VMPPT max
VOC (T) = Voc,STC - β ( 25 – Tcel )
VM (T) = Vm,STC - β’ ( 25 – Tcel )
Italia: Tmin =-10 °C; Tmax = 70 °C
Connessione alla rete
La taglia di potenza massima in uscita dall’inverter determina il tipo di allaccio alla
rete elettrica:
FINO AL 31 DICEMBRE 2008:
• monofase BT per impianti con P ≤6 kW
• trifase BT per impianti con 6 kW < P ≤ 50 kW
• trifase MT per impianti con P > 50 kW
DAL 1 GENNAIO 2009:
• monofase BT per impianti con P ≤6 kW
• trifase BT per impianti con 6 kW < P ≤ 100 kW
• trifase MT per impianti con P > 100 kW
Nel caso di connessione trifase, l’ingresso in rete può essere realizzato con
inverter ad output trifase o con più inverter ad output monofase collegati a
stella, con l’accortezza di distribuire il livello di potenza erogato sulle tre fasi in
modo da evitare squilibri superiori ai 6 kW (differenza di potenza tra fase con
maggiore erogazione e fase con minore erogazione di potenza).
Sistemi ad inseguimento
Sistemi ad inseguimento
Lo scopo di tali sistemi è la minimizzazione dell’angolo di incidenza con cui la
radiazione solare impatta sul piano dei moduli fotovoltaici. Per poter far questo, i
pannelli solari devono trovarsi a bordo di sistemi che permettano di inseguire il
sole nel moto apparente sulla volta celeste: sistemi appunto ad inseguimento
solare.
I sistemi ad inseguimento solare posseggono uno o due gradi di libertà. Il sistema di
riferimento che identifica questa classificazione può definirsi sistema di assi corpo, e
viene indicato con G (XB,YB,ZB).
- Momento di rollio (P)
- Momento di imbardata (R)
- Momento di beccheggio (Q)
Sistemi ad inseguimento
Inseguitori ad 1 grado di libertà: Rotazione attorno all’asse corpo YB
Inseguitori di tipo “giornaliero”, progettati quindi a prescindere dalla variazione
stagionale di tilt sono adatti per l’utilizzo in siti a bassa latitudine dove il percorso
giornaliero apparente del sole sulla vola celeste risulta mediamente più ampio nel
succedersi delle stagioni.
Sistemi ad inseguimento
Inseguitori a 2 gradi di libertà
Gli inseguitori a 2 assi sono quelli che garantiscono le migliori
performance in termini di minimizzazione dell’angolo di incidenza.
Vela Vx
Motore di tilt MTx
Encoder di tilt ETx
MID032/y
Motore azimutale MAx
Encoder azimutale EAx
MR004/y
Ulteriori aspetti progettuali
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Quadro di campo
Interruttori di stringa
Scaricatori di sovratensione
Quadro in C.A.
Interruttori inverter
Dimensionamento cablaggi
Protezione tensioni di contatto
Impianto di terra
Strutture di ancoraggio
Integrazione architettonica