Cristalli fotonici: teoria ed applicazioni Caterina Ciminelli Laboratorio di Optoelettronica, Politecnico di Bari e-mail: [email protected] Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Sommario Introduzione e concetti generali Spazio reciproco e zone di Brillouin Tipologie di strutture e classificazioni Mapping dei gap Metodi di analisi Dispositivi a band gap fotonico Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Bandgap elettromagnetico e bandgap fotonico Strutture con particolari geometrie ed indici di rifrazione possiedono un intervallo di frequenze per le quali non è permessa la propagazione all’interno del mezzo stesso. A seconda della λ in esame e delle dimensioni delle strutture si possono distinguere: EBG: Electromagnetic band gap PBG: Photonic band gap Principio di scalabilità in frequenza: se si riducono le dimensioni di una struttura di un certo coefficiente α, la soluzione delle equazioni di Maxwell sarà ancora valida ma a frequenze α volte maggiori. Le proprietà esibite dalle strutture EBG e PBG sono identiche Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Cristalli fotonici Un cristallo fotonico è un materiale con una variazione periodica dell’indice di rifrazione in una, due o tre dimensioni nello spazio. In base alla periodicità della costante dielettrica si possono classificare i cristalli fotonici come: monodimensionali (1-D), bidimensionali (2-D) e tridimensionali (3-D) Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 I cristalli fotonici mostrano un comportamento con bandgap fotonico completo se c’è un intervallo di frequenze (energie fotoniche), cioè una stop-band, in cui la propagazione dell’onda elettromagnetica è fortemente inibita, indipendentemente dalla direzione della propagazione o dalla polarizzazione considerata. Tipicamente per ottenere questo è richiesto un contrasto dell’indice di rifrazione pari a ~2:1 o più. I cristalli fotonici possono essere chiamati microstrutture (nanostrutture) fotoniche quando essi sono fabbricati con processi litografici e di etching. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Un comportamento con PBG incompleto può essere altrettanto utile un comportamento dipendente dalla direzione e/o dalla polarizzazione può fornire una selettività utile all’interno della stop-band o ai bordi di essa PBG unidimensionale forte direzionalità e piccolo contrasto d’indice Reticoli di Bragg in fibra, laser DFB, ecc. si basano sull’esistenza di un ‘photonic bandgap’ (stop-band) variazioni di periodicità (“chirp”) e variazioni di ampiezza sono spesso usate per fornire le proprietà richieste nel dominio del tempo e della frequenza Tali strutture e le relative caratteristiche di trasmissione nella stop-band possono essere molto utili: formazione di microcavità a cristalli fotonici. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Applicazioni e dispositivi I dispositivi a bandgap fotonico possono essere usati nelle comunicazioni ottiche, nei display, nei sensori e nei rivelatori. Laser, LED, fotoricevitori, dispositivi per WDM multiplexing e demultiplexing, circuiti optoelettronici integrati (OEIC) e circuiti fotonici integrati (PIC), dispositivi per la compressione dell’impulso e per il ritardo variabile sono alcune applicazioni dei PhC. L’uso dei cristalli fotonici consente il miglioramento di alcune prestazioni: ridotta corrente (densità) di soglia, ridotte dimensioni del dispositivo (compattezza), aumentate non linearità,……. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Cenni storici Nel 1987 E. Yablonovitch, [‘Inhibited Spontaneous Emission in SolidState Physics and Electronics’, Phys. Rev.Letts, 58, pp. 2059 - 2062, (18 May 1987)] affermò che il comportamento con “Photonic Bandgap” poteva essere un effetto potenzialmente utile. Yablonovitch evidenziò che le strutture a semiconduttore come i LED (che usano tipicamente semiconduttori III-V a bandgap diretto) mostrano un’efficienza quantica interna molto alta, superiore al 90%, per il processo di emissione spontanea. La luce emessa è tipicamente incoerente in un intervallo spettrale piuttosto ampio. La luce generata in un corpo solido deve essere estratta in modo efficace da esso. Ma i semiconduttori usati hanno un elevato indice di rifrazione (>3) e si può dimostrare che una grande frazione della luce prodotta nella regione attiva subirà riflessione interna totale quando giunge all’interfaccia fra il semiconduttore ed il mezzo esterno efficienza esterna ridotta al 3-4%. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Emissione spontanea & emissione stimolata Yablonovitch sottolineò anche che in tutti i sistemi, in base alle equazioni di Einstein, c’è sempre emissione spontanea, assorbimento ed emissione stimolata. I LED producono prevalentemente emissione spontanea ed i laser producono prevalentemente emissione stimolata. La soglia laser è individuata dalla prevalenza dell’emissione stimolata sull’emissione spontanea. Feedback periodici “forti” facilitano l’azione laser poiché riducono la probabilità di emissione spontanea e, in modo particolare, ciò avviene se c’è un difetto selettivo in frequenza inserito nella struttura periodica. comportamento tipico dei cristalli fotonici Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Controllo dell’emissione spontanea Emissione senza restrizioni Scuola Dottorato GE 2006 Emissione completamente proibita Emissione sotto forma di modi selezionati consentita dal difetto Benevento, 19-21 giugno 2006 Emissione stimolata Eliminare o limitare in modo significativo la probabilità di emissione spontanea aumenta la probabilità di ottenere emissione stimolata La sequenza di figure mostrata rappresenta anche una buona analogia con il funzionamento di un laser DFB, sebbene il tipico laser DFB abbia solo periodicità ad una dimensione. Quando il laser DFB convenzionale raggiunge la soglia laser c’è già una grande quantità di emissione spontanea. Sopra soglia, il processo di emissione stimolata cresce molto rapidamente poiché i nuovi fotoni stimolati sono molto selettivi in direzione. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Emissione da un PhC con 3D (PBG)-LED Una struttura a PhC 3D ottenuta in un ‘box’ con grande contrasto d’indice può proibire l’emissione per la maggior parte delle direzioni/frequenze della banda. Una limitata dimensione del ‘canale’ difetto dirige la luce selezionata in frequenza al di fuori del box (nel cono di fuga) che dipende dalla dimensione del difetto. Il fascio d’uscita è sostanzialmente divergente se il difetto ha uno spot d’uscita piccolo. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Definizioni e relazioni fondamentali Il “Photonic Bandgap” è una caratteristica della propagazione dell’onda elettromagnetica in strutture periodiche STRUTTURA A BANDE La propagazione dell’onda in strutture periodiche è dispersiva, cioè la velocità di fase dipende dalla frequenza Usare la parola ‘fotonico’ ha la stessa connotazione della parola ‘elettronico’ quando semiconduttori si fa riferimento alle proprietà dei si mescola il linguaggio delle particelle alla descrizione dei fenomeni dell’onda. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Velocità di fase vp = ω/k rapporto del valore dell’ordinata rispetto al valore dell’ascissa in un qualsiasi punto della curva di dispersione, dove ω è la frequenza angolare (radianti per secondo) e k è l’ampiezza del vettore d’onda Velocità di gruppo vg = dω/dk pendenza della curva di dispersione Velocità di gruppo e velocità di fase sono entrambe proprietà vettoriali di un mezzo (nello spazio tridimensionale) Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Nel linguaggio quantistico, l’energia del fotone e la frequenza ottica sono legati come E = hf = hν = (h/2π) ω = ћ ω dove l’energia E è in Joules, f o ν sono la frequenza in Hertz. La frequenza angolare ω è espressa in radianti/secondo e h è la costante di Planck (~6.6x10-34 Joule*secondo) Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Il (quasi) momento associato alla costante di propagazione k è espresso come (De Broglie): p = h/λ =(h/2π)k = ћk Per i fotoni, il valore in spazio libero (vuoto) di k è: k0 = ω/c dove c è la velocità della luce in spazio libero. In un mezzo con indice di rifrazione n il vettore d’onda è k = n k0 Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Light line Light line: line semiretta che passa per l’origine di un diagramma ω-k. La “light-line” dello spazio libero e la “light-line” del substrato sono utili riferimenti quando si esamina la propagazione di onde e.m. in strutture a PhC trasversalmente limitate La pendenza della light-line dello spazio libero è la velocità della luce, 3x108 m·s-1 La light-line per un mezzo specifico ha la pendenza data da c/n, con n indice di rifrazione del mezzo. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Lo ‘strato’ guidante ha spessore finito a nella direzione z e si estende all’infinito in tutte le direzioni nel piano membrana sottile con ‘aria’ (indice di rifrazione n = 1) sopra e sotto essa. Affinché esso sia a ‘singolo modo’ sarebbe necessario uno spessore di circa 0.3 µm! L’indice di rifrazione della slab potrebbe essere n = 3.5 in semiconduttore Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Light line e modi per una guida d’onda planare Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Effetti della periodicità: modi di Bloch Le soluzioni delle equazioni di Maxwell per la propagazione in mezzi periodici senza perdite sono esse stesse periodiche soluzioni assumono la forma di onde di Bloch (modi di Bloch o modi di Floquet-Bloch) I modi di Bloch ad una data frequenza per una struttura a cristallo fotonico sono descritti dal prodotto di un termine di propagazione esponenziale complesso (per ciascuna direzione) moltiplicato per un termine che ha esattamente la periodicità della struttura del cristallo fotonico: Φ = exp(jkxx)·exp(jkyy)·u(x,y) u(x,y) ha la periodicità del cristallo fotonico ed uno spettro di Fourier 2D discreto in uno spazio k per un cristallo fotonico 2D. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 La funzione u(x,y) può avere una dipendenza da z che è determinata dalla distribuzione ‘verticale’ della struttura 2D PhC, ad esempio uno strato guidante a con buche, retto da un substrato I modi di Bloch guidati di una struttura a cristallo fotonico in guida d’onda stratificata aperta devono avere un indice di rifrazione efficace maggiore degli indici dei mezzi esterni, in modo che essi siano opportunamente confinati e giacciano al di sotto delle light-line relative. In generale la funzione periodica può essere espressa come espansione in serie di Fourier di componenti esponenziali complessi con termini sia positivi che negativi del vettore k che sono multipli interi, non nulli del numero d’onda determinato dalla costante reticolare. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Zone di Brillouin Per una struttura con costante reticolare a, il numero d’onda relativo è 2π/a In particolare, si può verificare una situazione puramente stazionaria quando si verifica la condizione di Bragg (= situazione al bordo della stop-band) La condizione di Bragg è: k = kB = (+/-) π/a·(intero non nullo) Questa condizione si verifica a diverse (frequenze) per diversi modi possibili. Scuola Dottorato GE 2006 energie fotoniche Benevento, 19-21 giugno 2006 Spazio reciproco e zone di Brillouin Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 La guida d’onda planare è una traslazione invariante nel piano x-y Lo strato guidante ha uno spessore finito a nella direzione z e si estende all’infinito in tutte le direzioni nel piano. Non esiste in questa guida planare una struttura periodica tale da dare origine ai modi di Bloch. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Il reticolo periodico 1D in guida d’onda planare ha la soluzione funzione di Bloch che è invariante per una qualsiasi traslazione di una distanza a nella direzione y. Ha simmetria di traslazione continua lungo x e discreta lungo y Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 La struttura NON ha proprietà di simmetria di traslazione continua il periodo base è pari ad a che è detta costante reticolare vettore primitivo del reticolo: Il vettore che congiunge un punto al suo identico a distanza di un periodo ε (r ) = ε (r + R) Valori differenti di k possono rappresentare lo stesso modo; es: ky e ky + 2π/α b = 2π/α vettore primitivo del reticolo reciproco Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 r G : insieme di tutti i vettori del reticolo reciproco Ogni vettore del reticolo si può esprimere come combinazione lineare dei vettori primitivi del reticolo (a1, a2, a3) Ogni vettore del reticolo reciproco si può esprimere come combinazione lineare dei vettori primitivi del reticolo reciproco (b1, b2, b3) I vettori del reticolo reciproco sono vettori d’onda che verificano la condizione exp(jb·a) = 1 b·a = 2πn La relazione precedente ha un duplice significato: solo per i vettori d’onda che la verificano l’onda piana ha la stessa periodicità del cristallo l’insieme di tali vettori è il reticolo reciproco si ha interferenza costruttiva fra due onde ogni volta che la variazione del vettore d’onda fra onda incidente e diffratta coincide con un vettore del reticolo reciproco k - k’ = b Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 k e k’ devono avere lo stesso modulo in uno scattering elastico la componente del vettore d’onda incidente k lungo la direzione di un vettore del reticolo reciproco G è pari alla metà della lunghezza di G si verificano riflessioni di Bragg ogni volta che un vettore k finisce su di un piano bisettore perpendicolare di un qualsiasi vettore del reticolo reciproco Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Zone di Brillouin (BZ) Caso monodimensionale la condizione di Bragg si realizza quando k finisce sul piano bisettore di un vettore reciproco, come G = a*. Poiché a*= 2π/a, k deve essere uguale a π/a. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Alla stessa conclusione si giunge considerando la condizione per la riflessione di Bragg nella forma 2d sinθ = nλ le riflessioni alla Bragg si Per il caso monodimensionale d = a realizzano quando k = nπ/a con n = ±1, ±2. La stessa riflessione di Bragg si verifica quando k raggiunge nπ/a. Per k = nπ/a si determinano gap di energia dovuti a queste riflessioni. L’intervallo per k = ±π/a prende il nome di prima zona di Brillouin. Esternamente a questa vi è la seconda zona di Brillouin, e così via Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Il valore di k è periodico nello spazio k con modulo 2π/a k può essere sempre sostituito da k + 2πm/a (con m intero). un valore Per un’analisi completa della struttura si possono restringere i valori di k ad un intervallo di lunghezza 2π/a senza la necessità di considerare k al di fuori di questo intervallo poiché non si guadagna nessuna nuova informazione. L’intervallo viene scelto simmetrico attorno a k = 0, cioè -π/a ≤ k ≤ π/a Zone di Brillouin: definizione introdotta al fine di eliminare ridondanze Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Caso bidimensionale Il reticolo quadrato con buche/colonne poste a distanza a nelle direzioni x e y ha il corrispondente reticolo reciproco con punti spaziati di 2π/a . La zona di Brillouin è anch’essa quadrata, con siti posti a 2π/a . I contorni sono a ‘mezza strada’ fra i punti del reticolo. In principio le linee che formano i contorni sono piani nello spazio 3D recipro. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Il reticolo triangolare con buche/colonne poste a distanza a nelle direzioni ad angoli multipli di 60° ha un reticolo reciproco corrispondente con punti spaziati di 2π/a , anche ad angoli di 60°. Si noti la rotazione di 30°. La zona di Brillouin è un esagono regolare, con siti distanziati di 2π/a √3. I contorni sono a ‘mezza strada’ fra i punti del reticolo. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Reticolo quadrato con buche/colonne spaziate di a nelle direzioni x e y. La zona di Brillouin è anch’essa quadrata e si possono sfruttare opportune simmetrie per restringere ulteriormente la regione di interesse. Tale regione si riduce ad un triangolo rettangolo detto zona di Brillouin irriducibile. Otto di questi triangoli possono riempire la BZ quadrata. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Caso tridimensionale Struttura cubica a facce-centrate ha una BZ nella forma di un ottaedro troncato Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Tipologie di strutture e classificazione Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 CRISTALLI 1-D SISTEMA DI RIFERIMENTO: • Variazioni di ε solo lungo z • Invarianza a traslazioni nel piano x-y Modi espressi nella forma di Bloch H n ,k ,kz (r ) = e ik ⋅ ρ ik z z e un ,k ,kz ( z ) k Vettore d’onda nel piano x-y può assumere qualsiasi valore kz Vettore d’onda lungo z limitato alla 1° regione di Brillouin Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Dispersione dei modi in uno specchio 1D. La dispersione dipende dal contrasto d’indice. Nessuna struttura periodica = no accoppiamento fra le onde ‘up’ e ‘down’ nello specchio. Scuola Dottorato GE 2006 Struttura periodica con piccolo contrasto d’indice = debole accoppiamento fra le onde ‘up’ e ‘down’ nello specchio – piccolo bandgap. Struttura periodica con grande contrasto d’indice = forte accoppiamento fra le onde ‘up’ e ‘down’ nello specchio - grande bandgap. Benevento, 19-21 giugno 2006 Distribuzione modale per lo specchio 1D. Le soluzioni sono onde puramente stazionarie. Le regioni in blu hanno costante dielettrica più alta (ε = 13). Verde = costante dielettrica più bassa (ε = 12). I modi a frequenza più bassa hanno energia più concentrata nelle regioni a più alto indice. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Struttura a bande per uno specchio 1D. Si ha sempre una regione di band-gap per il caso 1D. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Propagazione off-axis k ≠0 La direzione di propagazione non è più solo z La radiazione attraversa strati a pari costante dielettrica e non si ha riflessione coerente che può dare origine ad interferenza distruttiva INTRODUZIONE DI DIFETTI “Pbg drogati” Introducendo irregolarità nella struttura periodica di un PBG, si possono localizzare dei modi all’interno del gap. DIFETTO MATERIALE CON SPESSORE DIFFERENTE MATERIALE CON INDICE DI RIFRAZIONE DIVERSO DISTRUZIONE SIMMETRIA TRASLAZIONALE Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Lo specchio 1D si trasforma in una microcavità anche semplicemente cambiando l’indice di rifrazione o lo spessore di un singolo strato. Dal punto di vista del band-gap fotonico, la struttura periodica ha ora un difetto e la possibilità di stati nel bandgap = trasmissione. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 STRUTTURE A COLONNA E STRUTTURE A GRIGLIA STRUTTURE A COLONNE CON MATERIALE DIELETTRICO A STRUTTURE A GRIGLIA PIU’ ALTO A SECONDA DELLA CONFIGURAZIONE BG PER: ε E’ POSSIBILE UTILIZZARE ANCHE IL COMPLEMENTARE: E’ VERO L’OPPOSTO MODI TE MODI TM ENTRAMBI Scuola Dottorato GE 2006 In generale: regioni non connesse di materiale ad alto ε favoriscono la generazione del BG per la polarizzazione TM; regioni connesse di materiale ad alto ε favoriscono la formazione del BG per la polarizzazione TE; entrambe le caratteristiche si produrrà un BG completo per entrambe le polarizzazioni Benevento, 19-21 giugno 2006 CRISTALLI 2-D Caratterizzati dalla periodicità della costante dielettrica lungo due direzioni. Nella terza direzione il materiale è omogeneo. Modi espressi nella forma di Bloch ik ⋅ρ ikz z H n , k , k z (r ) = e Si ha riflessione per una direzione d’incidenza qualunque Scuola Dottorato GE 2006 e un,k ,kz ( ρ ) Simmetria: classificazione dei modi in base alla polarizzazione: modi trasverso elettrici (TE) e modi trasverso magnetici (TM). Benevento, 19-21 giugno 2006 Struttura 2D PhC: ‘buche di aria’ in un mezzo solido ad elevato indice Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Struttura 2D PhC: colonne di un mezzo ad elevato indice circondate di aria Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Struttura 2D PhC: griglia di un mezzo ad elevato indice circondata di aria Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Struttura a bande con 2D PBG completo Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Struttura a bande per 2D PBG Più genericamente, si può dire che ci saranno sempre stop-band per una struttura a PhC periodica 2D. Il punto a cui le stop-band si sovrappongono per diverse direzioni di alta simmetria dipende dalla simmetria del reticolo cristallino, dal contrasto dell’indice di rifrazione, dalla dimensione e forma delle ‘colonne’ (e dal fatto che le colonne abbiano indice più alto o più basso del background). Il reticolo quadrato è maggiormente anisotropo del reticolo triangolare. Anche la polarizzazione, ‘TE’ o ‘TM’, influenza le posizioni di frequenza della stop-band e la banda. Il comportamento con PBG completo è già un obiettivo piuttosto stringente. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 INTRODUZIONE DI DIFETTI DIFETTO MATERIALE CON SPESSORE DIFFERENTE MATERIALE CON INDICE DI RIFRAZIONE DIVERSO + IRREGOLARITA’ PUNTUALI O DI LINEA PUNTUALI: il campo è localizzato nel difetto decadendo esponenzialmente al di fuori di esso. DI LINEA: possibilità di realizzare guide d’onda e percorsi con varie sagomature. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Difetto in una struttura a cristallo fotonico 2D = guida d’onda. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Il diagramma mostra la possibilità di stati nel bandgap fotonico (= trasmissione), per una cavità con difetto formato in un reticolo triangolare 2D periodico. Le linee rosse sono modi localizzati per la cavità con difetto formato dal riempimento progressivo in una singola colonna, portando a zero il raggio della buca. Si noti che c’è un numero progressivamente più grande di modi quando il volume effettivo della cavità aumenta. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 CRISTALLI 3-D PERIODICITÀ DELLA COSTANTE DIELETTRICA IN TUTTE LE DIREZIONI A BARRE STRUTTURE: A SFERE Esiste un elevato numero di strutture e configurazioni però È difficile avere un BG completo Una struttura che ha questa proprietà è l’opale YABLONOVITE: ha BG completo, è una struttura simile al diamante. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 INTRODUZIONE DI DIFETTI IN STRUTTURE 3-D PUNTUALI DIFETTI PUNTUALI: si possono spostare particolari frequenze dalla banda d’aria o da quella dielettrica LOCALIZZANDOLE ALL’INTERNO DEL BG. DI LINEA DIFETTI DI LINEA: rimozione di intere file di dielettrico con la generazione di percorsi guidanti allineando il difetto con uno dei vettori di traslazione del cristallo vengono mantenute le proprietà di simmetria traslazionale. GUIDE Scuola Dottorato GE 2006 D’ONDA Aggiungendo dielettrico creo un “difetto dielettrico” rimuovendolo do origine ad un “difetto d’aria” CAVITA’ RISONANTI E’ POSSIBILE REALIZZARE UN ELEVATO NUMERO DI DISPOSITIVI SFRUTTANDO LE PROPRIETA’ DEI DIFETTI Benevento, 19-21 giugno 2006 Mapping del band gap Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 VARIAZIONE DEI PARAMETRI DI PROGETTO geometria della cella elementare (quadrata, triangolare, esagonale, ecc.) rapporto fra gli indici di rifrazione: ε2/ε1 raggio delle colonne: r valore della costante reticolare: a “filling factor”: dà una misura della energia elettromagnetica localizzata nelle regioni dielettriche ad alto indice rispetto all’energia distribuita in tutto il volume “MAPPING” DEL BAND GAP Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Mappa dei gap: Reticolo quadrato di colonne con elevata costante dielettrica Per il reticolo quadrato di colonne di elevata costante dielettrica, ci sono grandi aree di comportamento a band-gap TM. Ma nessun band-gap TE. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Mappa dei gap: Reticolo quadrato di colonne con bassa costante dielettrica (aria) Per il reticolo quadrato di buche di ‘aria’, ci sono significative aree sia di comportamento a band-gap TM che a band-gap TE. Non c’è una sovrapposizione per un bandgap completo Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Mappa dei gap: Reticolo triangolare di colonne con elevata costante dielettrica Per il reticolo triangolare di colonne di elevata costante dielettrica, ci sono grandi aree di comportamento a band-gap TM ed alcune di comportamento a band-gap TE. Le colonne sono più vicine e accoppiate rispetto al reticolo quadrato Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Mappa dei gap: Reticolo triangolare di colonne con bassa costante dielettrica (aria) Per il reticolo triangolare di buche di ‘aria’, c’è una regione di sovrapposizione sia di comportamento a band-gap TM che a bandgap TE. Esiste la condizione di bandgap completo Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Mappa dei gap: Reticolo honeycomb di colonne con elevata costante dielettrica: struttura a grafite Per la struttura a grafite di colonne di elevata costante dielettrica, ci sono grandi aree di comportamento a band-gap TM e comportamento a band-gap TE. Ma ci sono anche grandi sovrapposizioni per il PBG completo. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Dispositivi a band gap fotonico Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 GUIDE D’ONDA: ottenute realizzando un percorso con difetto Il campo non entrerà nella regione periodica ELEVATO CONFINAMENTO DEL CAMPO Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 GRAZIE ALL’ELEVATO CONFINAMENTO STRUTTURE CON CURVATURA FINO A 90° ED EFFICIENZA 100% REALIZZAZIONE DI PERCORSI, CURVE, ACCOPPIATORI, GIUNZIONI AD Y. ecc Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 RIFLETTORI La formazione delle bande proibite nei cristalli fotonici può essere sfruttata per la realizzazione di riflettori ottici ad alta efficienza. Se un fascio ottico incide sulla superficie di una struttura PBG con una lunghezza d’onda compresa in un intervallo di banda proibita la potenza verrà completamente riflessa, a meno di eventuali fattori di perdita. L’elevato salto d’indice rende particolarmente efficace questo meccanismo riflettività anche superiori al 90% Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 CAVITA’ RISONANTI: introduzione di difetti “d’aria” o “dielettrici” Localizzazione del campo + oscillazioni ad elevato Q DIFETTO DIELETTRICO ALLONTANAMENTO DI UNA FREQUENZA DALLA BANDA D’ARIA DIFETTO D’ARIA ALLONTANAMENTO DI UNA FREQUENZA DALLA BANDA DIELETTRICA Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 1 0.8 SOI a.u. 0.6 0.4 0.2 Q≥ 150 Q≥ 850 0 1500 1510 1520 1530 1540 1550 1560 1570 1580 Wavelength / nm Spessore core in Si = 340 nm, Spessore strato SiO2 substrato = 3 µm Diametro delle buche = 250 nm, Periodo = 420 nm Diametro delle buche interne = 150 nm Diametro delle buche di accoppamento = 150 nm and 210 nm H. Chong et al, PD paper, ECIO, Prague, April 2003 Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 H. Chong et al, Photonic Europe, 2004 ∆λ ~ 5 nm 1 Corrente 0 .9 Q-factor > 500 Transmission / A. U. 0 .8 0 mA 0 .3 m A 0 .5 m A 0 .7 m A 0 .8 m A 0 .9 m A 1 mA 1 .2 m A 0 .7 0 .6 0 .5 0 .4 0 .3 0 .2 0 .1 0 1520 Scuola Dottorato GE 2006 1525 1530 W a v e le n g t h / n m 1535 1540 Benevento, 19-21 giugno 2006 Comportamento simile ad un INTERFEROMETRO Fabry Pérot ⎛ 2π ⎞ (2nL ) ⋅ ⎜ ⎟ = 2mπ ⎝ λ ⎠ Laser ad eterostruttura GaAs/AlGaAS con tre strati di quantum dots in InAs auto-organizzati come materiale attivo C.J.M.Smith, T.F. Krauss, R.M.De La Rue ed al., IEE Proc -Optoelectron, Vol 145, No 6, December 1998 Scuola Dottorato GE 2006 ∆λ = λ mF Larghezza del picco di trasmissione L = Lc + 2Lp BG completo per la polarizzazione TE per λ fra 890 e 1120 nm Benevento, 19-21 giugno 2006 GaAs / Alx Oy C.Ciminelli ed al., Optic Express, Vol. 13, No. 24, Novembre 2005 C. Ciminelli ed al., IEEE JLT, Vol. 23, No. 2, Febbraio 2005 R/a che massimizza il band gap non dipende dalla profondità di etching ma solo dalla geometria del cristallo Il reticolo di forma quadrata possiede in massimo valore di riflettività. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 GaAs / Alx Oy Aumentando n aumenta la selettività mentre decresce l’FSR FWHM: aumenta con il numero di dispositivi posti in cascata Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Fabbricazione del dispositivo Le guide d’onda hanno un core di silicio spesso sia 340 nm che 260 nm ed un substrato di SiO2 di 3 µm Uno strato di silice spesso 200 nm è stato depositato per phase enhanced chemical vapour deposition sullo strato di Si per operare come maschera durante il processo di dry-etch La struttura è stata definita con litografia electron-beam ad una tensione di 50 kV con resist 40 % ZEP-520A, spesso circa 140 nm La definizione della struttura è avvenuta attraverso il reactive ion etching della maschera di SiO2 ed infine del core di Si a = 380, 385, 390 nm (costante reticolare) Strutture fabbricate R = 148, 150, 153 nm (raggio delle buche) W = 3 µm (larghezza della guida ridge) N = 4 (numero di righe per ciascun riflettore) d = 8 µm (lunghezza della cavità) tov= 100 nm (spessore dello strato di SiO2 residuo dopo l’etching) h = spessore del (il substrato di SiO2 blocca il processo di etching) Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 a = 380 nm; R = 148 nm C.Ciminelli ed al., ECOC 2004, PD paper FSR = 37 nm Lunghezze d’onda di risonanza [nm] 1489.7 1525. 8 1563.2 Q-factor 1900 1400 1500 Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Confronto con le simulazioni Spettro sperimentale Bloch-Floquet Risonanze con 2D - FDTD [nm] Scuola Dottorato GE 2006 1481.3 1524.5 1571.9 Benevento, 19-21 giugno 2006 FILTRO CON TUNING TERMICO Gli indici di rifrazione dei semiconduttori come silicio, fosfuro d’indio ed arseniuro di gallio fortemente dipendenti dalla temperatura. I processi di formazione delle guide d’onda che comprendono crescita epitassiale, wafer-bonding ed ossidazione selettiva possono indurre elevati livelli di stress nei sistemi materiali anche intenzionalmente. Spessore NiCr = Resistenza ~ 1kΩ. 120 nm. PhC riflettori Cr Ni te r a He Deposizione di un sottile film metallico come heater sulla regione della cavità. Strato buffer di silice con spessore ~300 nm per ridurre le perdite ottiche. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Detector signal / µV 35 30 0V 25 1.5V Dimostrazione di un blue shift della risposta del filtro per una tensione sullo heater di 1.5 V. Piccolo shift di ~ 0.06 nm. 20 15 10 5 0 1526.4 1526.5 1526.6 1526.7 1526.8 1526.9 1527 1527.1 1527.2 Shift in direzione opposta rispetto a quella attesa. Wavelength / nm Problemi con il trasporto termico attraverso lo strato di ossido troppo spesso. Shift indotto dalle tensioni meccaniche R. De La Rue ed al., OWTNM14, Luglio 2005 Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Evoluzione dei Laser DFB e DBR grazie alle ridotte dimensioni LASER Localizzazione del campo + oscillazioni ad elevato Q Possibilità di realizzare sorgenti con larghezza dell’impulso contenuta + elevata purezza spettrale grazie alla riduzione dell’ASE Possibilità di realizzare emissioni a diverse λ variando le dimensioni del difetto puntiforme Cavità semplice tunabili con PBG + Scuola Dottorato GE 2006 filtri Laser a schiera Unico laser per diverse λ Benevento, 19-21 giugno 2006 Laser e amplificatori di tipo ‘band-edge Le curve di dispersione si appiattiscono in corrispondenza dei bordi delle bande proibite la velocità di gruppo vg deve annullarsi, poiché la propagazione dei modi ottici è inibita dalla riflessione di Bragg. Un modo ottico ad una frequenza a bordo banda è rallentato dalle continue riflessione parziali causate dalla periodicità dell’indice di rifrazione materia si ha un’interazione molto intensa tra luce e laser a band-edge Sono cristalli fotonici in materiale semiconduttore in cui grazie alla riflessione distribuita nel cristallo si può verificare emissione di un fascio laser alla frequenza del bordo della banda proibita con alte potenze di uscita e bassissime correnti di soglia. Lo stesso principio può essere sfruttato per fabbricare amplificatori ottici ad alta efficienza quantica. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 VCSEL L’uso del cristallo fotonico, consente la soppressione dei modi laterali più alti in un VCSEL a grande apertura per mezzo del meccanismo di propagazione a singolo modo che è comune anche alle holey fiber a PhC Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 FIBRE OTTICHE TRADIZIONALI: Core ad alto FIBRE OTTICHE CON PBG: Introduzione di colonnine d’aria lungo tutta la lunghezza delle fibre Possibilità di riempire colonnine con materiali ad: ε e cladding a basso basso ε Fibre tradizionali alto ε cavità ε PET (polietilene tereftalato) e Nylon 66 Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Metodi di analisi Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 I cristalli fotonici 2D in guida slab sono tra le strutture più promettenti per lo sviluppo dei futuri circuiti ottici a larga scala d’integrazione Uno dei problemi fondamentali che ancora oggi limita la diffusione di dispositivi basati su queste strutture consiste nella scarsità di efficienti tecniche di analisi e simulazione, che permettano di ridurre i tempi di progettazione fino a livelli competitivi con gli attuali circuiti elettronici. Ciò dipende soprattutto dalla effettiva tridimensionalità del problema elettromagnetico che rende l’analisi particolarmente costosa dal punto di vista computazionale Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 METODO FDTD (Finite Differences Time Domain) Si basa sulla risoluzione numerica delle equazioni di Maxwell attraverso la discretizzazione dell’asse dei tempi e dello spazio il problema differenziale viene trasformato in un problema puramente algebrico La tecnica di analisi possiede una notevole generalità ed è stata proposta anche per lo studio dei cristalli fotonici in guida d’onda planare Il dominio di integrazione numerica delle equazioni deve essere finito. La variante bidimensionale del metodo, nota come 2D-FDTD, sfrutta l’approssimazione dell’indice effettivo per trasformare il problema tridimensionale di partenza in un più semplice problema 1D o 2D non sono richieste grosse risorse computazionali ma l’accuratezza dei risultati è molto bassa in quanto non si tiene in alcun modo conto delle perdite di potenza dovute alla irradiazione out-of-plane. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 La versione tridimensionale del metodo consente di superare le limitazioni del 2D-FDTD al prezzo di uno sforzo computazionale molto maggiore. La tecnica in esame può anche essere impiegata per il calcolo delle curve di dispersione. Il dominio di integrazione è ridotto alla singola cella elementare E’ possibile calcolare i diagrammi a bande anche nelle regioni spettrali dove non esistono modi perfettamente guidati. Tuttavia non viene fornita direttamente alcuna stima del coefficiente di attenuazione dei modi irradiati, che rappresenta un utile parametro di progetto. Simulazioni 3D-FDTD sono state anche utilizzate per lo studio delle guide d’onda realizzate in cristalli fotonici 2D. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 In generale si può affermare che il metodo 3D-FDTD ha il vantaggio di consentire un’analisi tridimensionale molto accurata, comprensiva di tutti i fenomeni di scattering e di irradiazione all’esterno del piano di periodicità. Tuttavia i costi computazionali sono estremamente alti e crescono rapidamente all’aumentare delle dimensioni della struttura da analizzare Per questo motivo il metodo risulta poco conveniente in fase di progettazione dei dispositivi, essendo soprattutto utile per una successiva ottimizzazione e verifica accurata dei risultati. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 METODO DELLE SUPERCELLE I metodi che operano nel dominio del tempo permettono di ricavare dati relativi ad un ampio intervallo di frequenze con un’unica simulazione. La risoluzione spettrale è fortemente influenzata dalla durata della simulazione stessa Le tecniche che operano direttamente nel dominio della frequenza consentono, invece, di selezionare a priori la lunghezza d’onda, al prezzo di una simulazione per ogni frequenza di interesse. Tra queste si ricorda l’approccio delle supercelle. Il punto di partenza è rappresentato dalle equazioni di Maxwell nel dominio della frequenza. Le componenti del campo elettromagnetico possono essere sviluppate in serie di Fourier rispetto alle direzioni dello spazio lungo le quali la struttura PBG esibisce un andamento periodico il numero di equazioni aumenta ma si riduce il numero di variabili indipendenti del problema differenziale Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Nel caso di strutture perfettamente periodiche, ad esempio i cristalli fotonici 3D, si passa da un sistema di equazioni differenziali ad un sistema puramente algebrico. Purtroppo questo non accade per le strutture PBG in guida, che non hanno un andamento periodico rispetto alla direzione perpendicolare al piano del reticolo. L’approccio delle supercelle risolve il problema introducendo una periodicità fittizia. Ci si riconduce all’analisi di una struttura equivalente, ottenuta ripetendo periodicamente il cristallo fotonico di partenza lungo la direzione perpendicolare al piano del reticolo. L’equivalenza sussiste solo se le supercelle, così definite, sono sufficientemente distanziate da non creare reciproco accoppiamento. La condizione è automaticamente soddisfatta nel caso dei modi guidati, ma in presenza di fenomeni d’irradiazione out-of-plane diviene necessario isolare dal punto di vista elettromagnetico le supercelle adiacenti attraverso l’introduzione di strati PML nel substrato e nel superstrato di ciascuna di esse Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Rispetto alla tecnica FDTD, il metodo è in grado di sfruttare pienamente l’eventuale periodicità della struttura al fine di ridurre la complessità computazionale, pur conservando una totale generalità. Gli svantaggi sono legati alle risorse di calcolo richieste. Le strutture PBG in guida sono, infatti, caratterizzate da brusche discontinuità dell’indice di rifrazione, che per essere riprodotte accuratamente richiedono un gran numero di coefficienti di Fourier. La memoria occupata e il tempo di calcolo possono essere anche superiori rispetto al metodo 3D-FDTD. Inoltre la discretizzazione lungo l’asse x fa sì che lo sforzo computazionale cresca molto rapidamente all’aumentare della lunghezza dei dispositivi analizzati. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 METODO DEGLI ELEMENTI FINITI Opera nel dominio della frequenza e si basa sulla discretizzazione della struttura da analizzare in un insieme di regioni finite, dette elementi, all’interno delle quali l’indice di rifrazione è considerato costante Il campo elettromagnetico viene espresso in forma analitica in ciascun elemento mediante funzioni che soddisfano localmente le equazioni di Maxwell e dipendono da un certo numero di parametri incogniti. Imponendo le condizioni di continuità delle componenti tangenziali di campo sulle superfici di separazione tra elementi distiniti, si ottiene un sistema algebrico la cui soluzione permette di determinare tutti i parametri incogniti del problema. Si tratta di una tecnica che possiede una totale generalità ed è stata proposta anche per lo studio delle cavità risonanti in cristalli fotonici in guida planare Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 E’ possibile calcolare direttamente le curve spettrali di trasmissione e riflessione delle strutture risonanti; al contrario, la procedura per il calcolo delle curve di dispersione è estremamente laboriosa. Purtroppo l’implementazione tridimensionale, l’unica utile per un’analisi accurata dei cristalli fotonici in guida, comporta notevoli costi computazionali, che aumentano al crescere delle dimensioni delle strutture studiate. La periodicità nel piano del reticolo non viene, infatti, in alcun modo sfruttata per diminuire i tempi di calcolo e la memoria occupata. Anche questo metodo non può essere, quindi, considerato un efficiente strumento progettuale e risulta più che altro adatto ad una successiva fase di ottimizzazione e verifica accurata dei risultati. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 METODO DELLA MATRICE DI SCATTERING Il metodo della matrice di scattering è stato originariamente proposto per l’analisi dei cristalli fotonici bidimensionali Il punto di partenza è lo studio dello scattering di un’onda elettromagnetica da parte di un cilindro omogeneo di altezza infinita. Il campo elettromagnetico incidente, il campo diffratto all’esterno del cilindro ed il campo trasmesso al suo interno sono espressi come combinazioni lineari di opportune funzioni base ortornormali, che soddisfano localmente le equazioni di Maxwell nel dominio della frequenza. Per effetto della geometria cilindrica del problema, la scelta delle funzioni di Bessel garantisce i risultati migliori in termini di efficienza computazionale. Inoltre è possibile soddisfare automaticamente la condizione di Sommerfield di radiazione all’infinito utilizzando funzioni di Bessel di prima specie per il campo incidente e trasmesso, e funzioni di Bessel modificate di seconda specie per il campo diffratto. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Le incognite del problema sono rappresentate proprio dai coefficienti di espansione del campo diffratto e del campo trasmesso, essendo invece assegnato il campo incidente. Questi ultimi possono essere determinati come superficie del cilindro. E’, quindi, possibile calcolare la matrice di scattering che moltiplicata per il vettore dei coefficienti del campo incidente, fornisce i coefficienti del campo diffratto e del campo trasmesso. L’estensione del metodo alle strutture PBG 2D è concettualmente molto semplice, essendo queste ultime interpretabili come insiemi ordinati di cilindri omogenei. Molto recentemente è stata sviluppata una variante della tecnica in esame, che può essere impiegata per lo studio dei cristalli fotonici 2D in guida planare Le difficoltà maggiori in questo caso sono rappresentate dalla presenza di cilindri di altezza finita e dalle variazioni dell’indice di rifrazione lungo la direzione perpendicolare al piano del reticolo. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 Per risolvere il problema, anzitutto vengono distinte le regioni delle buche dalla regione della guida slab Il campo elettromagnetico viene, quindi, espresso come combinazione lineare dei modi TE e TM della struttura planare multistrato senza reticolo, calcolati applicando la tecnica della separazione delle variabili in coordinate cilindriche. Le variazioni del campo elettromagnetico nel piano del reticolo sono ancora una volta rappresentate mediante funzioni di Bessel. Si utilizzano, in particolare, funzioni di Bessel di prima specie per il campo incidente e per i campi trasmessi nelle regioni delle buche, e funzioni di Bessel modificate di seconda specie per i campi diffratti. I vantaggi computazionali rispetto ad altri metodi quali il 3D-FDTD o il metodo delle supercelle, derivano dall’impiego di una base di espansione costituita da funzioni di Bessel, particolarmente adatta per problemi di scattering in geometria cilindrica. Purtroppo i tempi di calcolo e la memoria occupata sono proporzionali al quadrato del numero di buche presenti nella struttura. Per tale ragione anche il metodo della matrice di scattering non può essere utilizzato come efficiente strumento di progetto per dispositivi PBG di grandi dimensioni, che contengono un numero elevato di celle elementari. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006 METODO DI BLOCH-FLOQUET Consente il calcolo rigoroso dei diagrammi di dispersione dei cristalli fotonici 2D in guida planare, fornendo informazioni anche sulle perdite di irradiazione out-of-plane. I modi di Bloch del reticolo derivanti da questo tipo di analisi possono essere utilizzati, inoltre, come base di espansione del campo elettromagnetico nelle strutture PBG di dimensioni finite, permettendo una rapida valutazione delle curve di trasmittività e riflettività. Queste caratteristiche rendono la tecnica in esame uno dei più efficienti strumenti per il progetto delle microcavità risonanti Fabry-Perot realizzate in cristalli fotonici in guida planare. Il metodo è stato inizialmente proposto per lo studio delle strutture PBG 1D. La sua estensione ai cristalli fotonici 2D in guida slab è risultata non banale per effetto dei notevoli problemi numerici che si manifestano nel caso di strutture realmente tridimensionali. Scuola Dottorato GE 2006 Benevento, 19-21 giugno 2006