1 Sensori di Temperatura z La temperatura è la energia media di un sistema termodinamico z La temperatura di un ambiente definisce il riferimento di energia per tutti i fenomeni. z Tutti i fenomeni dipendono dalla temperatura, quindi, in generale si possono ottenere trasduttori di temperatura con qualunque sistema sia esso fisico, chimico o biologico. z Per ottenere un sensore è ragionevole sfruttare le sensibilità alla temperatura dei componenti elettronici. z Termometri (non sono sensori, però…) z Resistenze (metalli e semiconduttori) z dispositivi a giunzione y Semiconduttore-semiconduttore: diodo y Metallo-metallo: termocoppia Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 2 Termometria Tipo z Anche se di per se non sono sensori i termometri possono essere usati come elementi di una catena di trasduzione accoppiati con opportuni sensori che trasformino l’output del termometro in un segnale elettrico Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group Termometri a gas Principio di Funzionamento Il gas, contenuto nel bulbo, genera una pressione proporzionale alla temperatura assoluta. E’ una lettura manometrica e la scala è lineare Termometri a tensione Il bulbo contiene un di vapore liquido in equilibrio con il suo vappore. Si misura la tensione (o pressione di equilibrio) conoscendo la legge che lega T alla tensione di vapore saturo. La scala non è lineare. Termometri a Il bulbo contiene un dilatazione liquida liquido che si dilata proporzinalemnte all’incremento della temperatura. La lettura è lineare Termometri bimetallici Sfruttano la d iversa dilatazione termica di due metalli per muovere un indice che visualizza su una scala la temperatura. La lettura è lineare Legge Fisica PV=n R T Range in incertezze Temperatu ra -100 +650 ± 1% f.s. T in Kelvin Pvapore = f(T) -60 +400 2% f.s. Volume=f(T) -200 +600 1% f.s. L = f(T) -80 +500 2% f.s. 1 3 Termistori Il termine termistore indica sensori basati su materiali semiconduttori o cristallini (esempio Si) od ossidi metallici. In base al loro comportamento con la temperatura si hanno termistori PTC (positive temperature coefficient) o NTC (negative temperature coefficient) a seconda che il valore di resistenza cresca o decresca con la temperatura. I termistori di Silicio e Germanio sono generalmente drogati con concentrazioni dell’ordine di 1016 cm-3. Gli ossidi metallici possono essere realizzati con varie tecniche sia in forma di film sottile sia come film spesso. I materiali più usati sono: Mn2O, NiO, Co2O3, Cu2O, Fe2O3 e TiO2. Il range di temperatura di utilizzo dipende dalla energy gap del materiale (più grande è Eg maggiore è la temperatura di utilizzo). Ad esempio il Ge è usato per applicazioni criogeniche (1100 K); il silicio non viene usato a temperature superiori a 250 °C. I termistori ad ossidi metallici sono usati per temperature fino a 500°C. A queste temperature la resistenza degli ossidi metallici è molto sensibile ai composti chimici presenti in aria. Questo effetto viene usato per realizzare una importante famiglia di sensori di gas. z z z z Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 4 Effetti Termici su mobilità e numero di portatori La mobilità diminuisce con la temperatura a causa dell’aumento dello scattering fononico, cioè con il crescere della temperatura aumenta l’agitazione termica del reticolo e quindi la probabilità di scattering degli elettroni di conduzione. z Nei metalli il numero dei portatori non dipende dalla temperatura in quanto non esiste la energy gap, e tutti gli elettroni di conduzione sono sempre disponibili. Quindi nei metalli la temperatura agisce solo sulla mobilità e la resistenza aumenta con T ÆPTC. z Nei semiconduttori, a causa della band gap il numero dei portatori dipende dalla temperatura (statistica di Fermi) quindi aumenta al crescere della temperatura. Questo fenomeno compete con la diminuzione della mobilità e predomina in un range di temperatura in cui la statistica di Fermi è approssimata da quella di Boltzmann. z metalli m (T ) fl T n = cos t semiconduttori PTC m (T ) fl T NTC n ›› T Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group † † 2 5 Termistori Effetti termici sulla conducibilità 1 = nqm n + pqm p r z La conducibilità di un semiconduttore è: z Molti termistori operano in un range di temperatura dove la concentrazione dipende dalla temperatura con una relazione tipo: s= Ê -E ˆ concentrazione = expÁ a ˜ Ë KT ¯ z z Dove Ea è l’energia di attivazione dipendente dalla energy gap e dal livello delle impurezze. Al crescere della temperatura, la concentrazione dei portatori aumenta e la resistenza diminuisce (NTC: Negative Temperature Coefficient). È Ê 1 1 ˆ˘ R(T ) = R(T0 ) ⋅ exp BÁ - ˜ ÍÎ Ë T T0 ¯ ˙˚ z R(To): resistenza alla temperatura di riferimento, B è una temperatura caratteristica del sensore (2000÷5000 K). B è legata ad Ea e al primo ordine non dipende da T. Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 6 Termistori coefficiente di temperatura z Le caratteristiche del termistore sono espresse dal coefficiente di Temperatura a definito come: 2 a= z z 1 dR B =- 2 R dT T Dove il segno negativo evidenzia la natura NTC del termistore. La variazione di resistenza indotta da una veriazione di temperatura (DT) è: D R = R ⋅ a ⋅ DT z z a ha valori tipici dell’ordine di -5% K-1 che sono circa 10 volte maggiorri dei corrispondenti valori per sensori RTD. Ro è nel range 1KΩ - 10 MΩ. A temperature molto alte, oppure in sensori molto drogati, gli atomi droganti sono tutti ionizzati e all’aumentare della temperatura prevale lo scattering fononico e il sensore si comporta come PTC. Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 3 7 Termistori: Self-heating z z z z Al crescere della corrente il termistore si scalda per effetto Joule (self-heating) Il self-heating comporta una modifica nella caratteristica del sensore sia esso PTC sia NTC. Negli NTC si osserva una diminuzione della resistenza che comporta un feedback positivo per il generatore di tensione Nei PTC si osserva un aumento della resistenza che provoca un feedback negativo per un generatore di corrente. Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 8 Configurazione di un termistore a semiconduttore Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 4 9 Resistance Temperature Detectors (RTD) z z ( ) R(T ) = R(T0 ) 1 + a T + bT 2 + gT 3 + º 20 Li Cu Ag Au 10 5 0 50 100 Caratteristiche generali (nel range di lavoro) : z Nb Fe Zn 15 Resistivity [W cm] Resistenze in genere metalliche (Pt, Cu, Ni,…) La temperatura aumenta l’agitazione termica reticolare (fononi) e aumenta quindi la probabilità di scattering degli elettroni diminuendo la conducibilità Relazione resistenza - temperatura quasi lineare modellata con una serie di potenze z 150 200 250 300 350 400 T (K) Buona stabilità Buona riproducibilità Non linearità contenuta Grandi dimensioni y y y y Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 10 Resistance Temperature Detectors (RTD): film sottile z z Per aumentare la stabilità si utilizzano resistenze realizzate con la tecnica del film sottile (generalmente per evaporazione o sputtering). Il platino ad esempio può essere utlilizzato per questo scopo. Con la tecnica del film sottile però il valore di resistenza può fluttuare parecchio rispetto alla specifica di progetto. Per ovviare a ciò si possono usare vari accorgimenti. Una configurazione tipica è la seguente: y Questa configurazione è formata da due parti. La prima a sinistra è il sensore vero e proprio, la parte a destra è una sorta di trimmer per regolare la resistenza. La regolazione avviene tramite un laser, che focalizzato nei punti indicati dai cerchietti, consente di ablare il film metallico, regolando la resistenza totale. Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 5 11 Circuito di misura I Vout = Vin Rs Rs + RL Vout = Vin la resistenza del termistore è R=Ro+aRo∆T Ro + a ⋅ Ro ⋅ DT Ro + a ⋅ Ro ⋅ DT + RL † Sviluppando in serie rispetto ad R S e nell’intorno di Ro 2 Vout Ro RL † ( RS - Ro ) 2 ⋅ RL = + ( RS - Ro ) ⋅ ⋅ 2 3 Vin Ro + RL 2 ( Ro + RL ) ( Ro + RL ) 2 Vout Ro RL RL = + (a ⋅ Ro ⋅ DT ) ⋅ - (a ⋅ Ro ⋅ DT ) ⋅ 2 3 Vin Ro + RL ( Ro + RL) ( Ro + RL) † (a ⋅ R ⋅ DT ) ⋅ o † ter min e lineare Linearità = = ter min e quadratico RL (R o (R o Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 2 = RL 2 (a ⋅ Ro ⋅ DT ) ⋅ + RL ) + RL ) Ro + RL a ⋅ Ro ⋅ DT 3 La linearità del sensore migliora per ∆T piccoli, per piccoli valori di a e inoltre quando RL>>Ro, cioè quando la resistenza di carico del partitore è molto maggiore † della resistenza del termistore. 12 Circuito di Misura II Sensibilità Vout = Vin Considerando quindi RL>>R1 il segnale d’uscita è R1 RL Se il termistore è sottoposto ad una ∆T=1K, la resistenza cambia di una ∆R=a R1, di conseguenza il segnale d’uscita varia di R 1 DV † out = a ⋅Vin R L Quindi la definizione del coefficiente di temperatura come variazione frazionale della resistenza per unità di variazione di temperatura produce una variazione del segnale d’uscita ancora pari ad a. † Risoluzione La risoluzione del termistore è limitta dal rumore elettronico. Come tutti gli elementi resistivi, il termistore è caratteriozzato dal rumore termico (o Johnson) la cui densità è data da: Resolution = noise Vnoise = DV = sensitivity DT † † Vnoise = 4⋅ K ⋅ R ⋅T ⋅ DF (Volt) 4⋅ K ⋅ R ⋅T ⋅ DF R Vin ⋅ a ⋅ R1 L La risoluzione aumenta oltre aumentando la sensibilità intrinsica del termistore riducendo la temperatura di esercizio, la banda passante di misura, la resistenza di carico, ed aumentando la tensione di polarizzazione Vin. Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 6 13 Termistori a Diodo z In un dispositivo a giunzione le caratteristiche del dispositivo dipendono dalla temperatura. Ad esempio un diodo può essere utilizzato come sensore di temperatura ricordandone la equazione caratteristica: È Ê qV ˆ ˘ I (T ) = I (T0 )Í exp Á h - 1˙ Ë ¯ KT Î ˚ z La instabilità termica, caratteristica negativa nella progettazione elettronica, può essere sfruttata per realizzare circuiti che si comportano come sensori di temperatura: segnali PTAT (Proportional to Absolute Temperature) z z Due diodi (transistor) sono “matched” se le loro caratteristiche sono molto simili (nei circuiti integrati è facile realizzare dispositivi “matched”). Iniettando in due diodi (transistor) “matched” due correnti I1 e I2 il cui rapporto sia stabile in temperatura si ha: VD 2 - VD 1 = kT q È Ê I2 ˆ Ê I1 ˆ ˘ È k Ê I 2 ˆ ˘ Á ˜ Á ˜ Á ˜ ÍÎlnË IS ¯ - ln Ë I S ¯ ˙˚ = ÍÎ q lnË I 1 ¯ ˙˚ T PTAT Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 14 Rivelatore Piroelettrico (I) z z L’effetto piroelettrico si manifesta in materiali cristallini ionici in cui la singola cella primitiva ha un momento di dipolo che non è cancellato dall’arrangiamento macroscopico delle celle. Il momento di dipolo interno cambia con la temperatura al di sotto di una temperatura di transizione nota come temperatura di Curie. Questi materiali sono degli isolanti come ad esempio il tantalato di litio. Il rivelatore ha una tipica struttura sandwich tra due elettrodi conduttori. Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 7 15 Rivelatore Piroelettrico (II) Il rivelatore piroelettrico può essere rappresentato dal seguente circuito equivalente caratterizzato da un generatore di carica attraverso il condensatore. La capacità C rappresenta il carattere dielettrico del cristallo piroelettrico: z I = AC p dT dt dove Cp è il coefficiente piroelettrico ed A è l’area del rivelatore. Valori tipici di Cp sono dell’ordine di 3*10-8 C/cm2K. L’equazione indica che il sensore risponde solo a variazioni di temperatura. La corrente è inviata ad una resistenza elevata (dell’ordine di 109-1011 Ω) per aumentare il segnale in tensione. Si consideri però che grandi valori di R comportano livelli di rumore più elevati ed una maggiore costante di tempo che comporta tempi di risposta più lenti. z z Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 16 Termocoppie z z z z z Esperimento di Seebeck (1821): una piccola corrente elettrica fluisce in un circuito chiuso composto da due metalli diversi quando le loro giunzioni sono tenute a due temperature diverse. La forza elettromotrice (fem) prodotta in queste condizioni è nota come fem di Seebeck. La coppia di conduttori, o elementi della termocoppia, che costituiscono il circuito termoelettrico è detta termocoppia. La quantità di energia elettrica così prodotta può essere considerata una misura della temperatura. Si può utilizzare questo effetto come termometro se una delle due giunzioni è tenuta a temperatura fissata, nota e riproducibile. Questa temperatura è detta temperatura di riferimento, per misure pratiche viene utilizzata la temperatura di fusione del ghiaccio (0°C). La giunzione mantenuta a temperatura costante è detta giunzione di riferimento mentre l’altra prende il nome di giunzione di misura. la sensibilità della termocoppia (variazione della fem in funzione della variazione della temperatura), che in questo caso prende il nome di potere termoelettrico, non è lineare. Il potere termolelettrico è la quantità che consente di utilizzare la termocoppia in differenti range di temperatura e per confrontare diverse termocoppie tra di loro. metal A T1 I T2 metal B emf T1 T2 Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 8 17 Classificazione delle termocoppie Type Type E Type J Type K Type T Metal A - Metal B Chromel - Constantan Iron - Constantan Cromel - Alumel Copper - Constantan Temperature Range (°C) -200 to +900 0 to +750 -200 to +1250 -200 to +350 Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 18 Effetto Seebeck z Quando due conduttori differenti, A e B formano un circuito, se le giunzioni dei due conduttori sono poste a temperature diverse (T<T+∆T) , una corrente circolerà nel circuito. Il conduttore A è detto positivo rispetto a B se la corrente (elettroni) fluisce da A a B. Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 9 19 Effetto Peltier z z z Quando una corrente elettrica fluisce attraverso una giunzione tra due metalli diversi, il calore viene assorbito o rilasciato. Quando la corrente elettrica fluisce nella stessa direzione dell’effetto Seebeck, il calore è assorbito alla giunzione più calda e liberato alla giunzione più fredda. L’effetto Peltier è definito come la variazione nel contenuto di calore quando una quantità di carica di un Coulomb attraversa la giunzione. Questo effetto è alla base della refrigerazione o del riscaldamento termoelettrico. Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 20 Effetto Thomson L’effetto Thomson si definisce come la variazione del contenuto di calore di un singolo conduttore di sezione unitaria quando una quantità di elettricità fluisce nel conduttore attraverso un gradiente di temperatura di 1K. z z z Consideriamo un singolo conduttore che è stato scaldato in un punto alla temperatura TA. Esisterà quindi un gradiente termico da entrambe i lati del punto riscaldato. Due punti P1 e P2 a temperatura uguale, T1 < T2 , si troveranno ad entrambe i lati di T2. Se si forma un circuito in modo da includere il conduttore, la temperatura a P1 e P2 cambierà. Le variazioni sono dovute al moto degli elettroni rispetto alla direzione del gradiente di temperatura. Quegli elettroni che si muovono contro il gradiente crescente di temperatura (da P1) assorbono energia ad aumentano la loro energia potenziale. Gli elettroni che viaggiano nella stessa direzione del gradiente rilasciano energia diminuendo la loro energia potenziale. Il calore sarà così assorbito in P1, dove la direzione della corrente di elettroni è opposta al flusso di calore, mentre il calore sarà liberato in P2, dove la corrente di elettroni coincide in verso con il flusso di calore. Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 10 21 Legge dei conduttori omogenei z Nella descrizione precedente gli effetti Thomson sono uguali ed opposti e si cancellano reciprocamente. Questo effetto è la base della cosiddetta legge dei conduttori omogenei, che stabilisce che una corrente termoelettrica non può essere mantenuta solo dall’applicazione di calore ad un singolo conduttore omogeneo. Quando più materiali diversi sono accoppiati per formare delle termocoppie gli effetti Thomson non si cancellano più e si ottiene un flusso netto di corrente. Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 22 Considerazioni Termodinamiche (I) z Trascurando l’effetto Joule, un circuito termoelettrico può essere considerato una macchina termica reversibile. y z La corrente nel circuito termoelettrico è dell’ordine di 10-3 A. La resistenza di tale circuito viene minimizzata per rendere massima la sensibilità fino a circa 10Ω. Con questi valori, la perdita irreversibile di calore è di circa 10 -5 W, una quantità che può essere considerata trascurabile. Consideriamo un circuito composto da due metalli differenti, A e B, dove la giunzione più fredda è ad una temperatura T e la giunzione più calda è alla temperatura T+∆T. Entrambe le temperature sono mantenute da opportuni bagni termici. La fem generata in queto circuito è EAB. Il potere termoelettrico è definito come la variazione della fem per grado Kelvin, o dEAB/dT. Allora, l’energia elettrica è data da: nel seguito consideriamo un valore di dE qE AB = q AB D T carica unitario q=1C dT Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 11 23 Considerazioni Termodinamiche (II) z E’ stato precedentemente notato che l’effetto Peltier considera variazioni nel contenuto di calore della giunzione e che l’effetto Thomson considera variazioni nel contenuto di calore di ciascun conduttore secondo lo schema seguente y y z Effetto Peltier x Calore assorbito alla giunzione calda: PAB (T+DT) x Calore liberata alla giunzione fredda: - PAB (T) Effetto Thomson x Calore assorbito dal conduttore B = sB•DT x Calore liberato dal conduttore A = -sA•DT Poiché il circuito termoelettrico può essere considerato in prima approssimazione una macchina termica reversibile, le energie termica ed elettrica si equivalgono: dEAB DT = PAB (T + DT ) - PA B(T ) + ( s B - s A )DT dT Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 24 Considerazioni Termodinamiche (III) z Dividendo entrambe i termini per DT: dEAB PAB (T + DT ) - PAB (T ) = + (s B - s A ) dT DT z La frazione alla destra è il solo termine che contiene la quantità DT. Questo termine, facendo tendere a zero l’incremento DT è un rapporto incrementale, che fornisce il rate di variazione dell’effetto Peltier rispetto alla temperatura È PAB (T + DT ) - PAB ( T )˘ dP AB lim Í ˙ = dT D T Æ0 DT Î ˚ z Si ottiene così il teorema fondamentale della termoelettricità: dEAB dPAB = + (s B - s A ) dT dT z l’effetto Seebeck è la somma algebrica dell’effetto Peltier e dell’effetto Thomson. Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 12 25 Considerazioni sull’entropia (I) Imponiamo la presenza di altri due bagni termici al centro dei conduttori A e B. Sia la loro temperatura la temperatura media tra le due giunzioni calda e fredda come mostrato in figura. Si assuma che una quantità di elettricità fluisce lungo il circuito. La assunzione di reversibilità richiede che la variazione totale di entropia, DS, dei bagni termici sia nulla, quindi: z z DS = - PAB( T + DT ) T + DT + PAB (T ) T + DT - T+∆T/2 A T B T+∆T/2 figura 4:circuito di figura 1 con temperature costanti al centro dei rami s B ⋅ DT T + DT 2 + s A ⋅ DT =0 T + DT 2 Moltiplicando i primi due termini per ∆T/∆T si ottiene: z T+∆T z È - PAB( T + DT ) PAB (T ) ˘ + Í T + DT T + DT ˙ DT - s B ⋅ DT + s A ⋅DT = 0 DS = Í ˙ DT T + DT T + DT 2 2 ÍÎ ˙˚ Al limite per DT che tende a zero la quantità tra parentesi quadre diviene: - d È PA B ˘ dT ÍÎ T ˙˚ Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 26 Considerazioni sull’entropia (II) z Sostituendi nella equazione precedente da luogo a: DS = - d È PAB ˘ s B ⋅ DT s A ⋅ DT + =0 dT ÍÎ T ˙˚ T + DT T + DT 2 z 2 L’effetto Thomson era stato definito come la variazione del contenuto di calore per un gradiente termico di 1K. Poiché T è molto più grande di 1K, si ha: T+ DT/2=T+1/2≈T. Con questa approssimazione la eq. precedente diventa: d È PAB ˘ s A s B = dT ÍÎ T ˙˚ T T T dPAB - PAB s s dT = A- B T2 T T PAB dP = AB + s B - s A T dT Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 13 27 Considerazioni sull’entropia (III): effetto Peltier z L’equazione precedente può essere semplificata considerando il teorema fondamentale della termoelettricità. PAB dEAB = T dT z z Così, il potere termoelettrico di una termocoppia è una misura diretta della variazione di entropia di una giunzione termoelettrica, poiché la quantità PAB è la variazione in contenuto di calore della giunzione. L’equazione precedente si può anche scrivere come: PAB = dEAB T dT Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 28 Considerazioni sull’entropia (IV): effetto Thomson z Derivando l’equazione precedente rispetto alla temperatura si ottiene: dPAB dEAB d2 EAB = +T dT dT dT 2 z Uguagliando con l’espressione del teorema fondamentale della termoelettricità si ha: T z d2 EAB = - (s B - s A ) dT 2 (s B - s A ) d2 EAB =2 dT T Integrando da 0 a T: T (s A - s B ) dT =T s A dT - T s B dT dEAB =Ú Ú0 T Ú0 T dT T 0 z La quantità s/T è l’entropia. Per la terza legge della termodinamica, questa quantità tende a zero col tendere a zero della temperatura. Quindi, il potere termoelettrico di una termocoppia può essere considerato come la differenza tra le entropie dei due conduttori che la formano. Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 14 29 Potere Termoelettrico Assoluto (ATP) La separazione dell’eq. precedente in due integrali dà luogo al concetto di ATP. L’ATP di una termocoppia è la somma algebrica dei poteri termoelettrici assoluti dei suoi componenti (termoelementi): dE AB dT z z = SA - SB Se il potere termoelettrico assoluto di un elemento è noto e il potere termoelettrico della coppia è sperimentalmente determinato, l’ATP dell’altro elemento della coppia può essere calcolato. Il piombo è stato utilizzato come elemento di riferimento. L’ATP del piombo è piccolo rispetto a quello di altri elementi o leghe; di modo che, la fem di qualunque termocoppia che abbia il piombo come elemento di riferimento è quasi del tutto dovuta all’effetto Thomson dell’altro termoelemento. Anche l’ATP del platino è ben noto ed è stato utilizzato come riferimento. Cu Ag Au Pt Pd W Mo 20 ATP [µV/K] z 0 -20 -40 -60 -80 0 500 1000 1500 2000 2500 T [K] Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 30 Leggi dei circuiti termoelettrici z z z z Se due fili di uno stesso conduttore omogeneo sono utilizzati come elementi di un circuito termoelettrico, la fem risultante sarà nulla poichè sia SA sia SB sono identici. Questo comportamento è detto legge dei conduttori omogenei. Applicando una differenza di temperatura tra gli estremi di un conduttore omogeneo, anche se i gradienti di temperatura possono esistere tra i suoi estremi, la fem netta attraverso il conduttore sarà nulla. Un’atra legge è quella dei conduttori intermedi che stabilisce che la somma degli ATP di conduttori differenti è nulla quando i conduttori sono tutti alla stessa temperatura. Una terza legge è quella detta delle temperature successive, per cui la fem di una termocoppia composta da conduttori omogenei può essere espressa come la somma delle sue fem su successivi intervalli di temperatura. T1 EAB = Ú(S T2 A T0 T3 T3 - S B )dT + Ú ( S A - S B ) dT + Ú ( S A - S B )dT = Ú ( S A - S B ) dT T1 T2 T0 Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 15 31 Applicazioni ai termoelementi reali S A = c1 + mAT S B = c2 + mBT dEAB = c3 + ( mA - mB ) ⋅T dT dove c3=c1-c2 . In altre parole, la fem generata dalla termocoppia è l’area tra le due curve sottesa dal range di temperatura tra il riferimento e la giunzione di misura. Se la giunzione di riferimento è mantenuta a temperatura costante, To, la fem della coppia si può trovare integrando To a T: z EAB = E0 + c3 ⋅ (T - T0 ) + 2 1 ( m - mB ) ⋅ (T - T0) 2 A z Andamento non lineare! z Questa non linearità può essere eliminata nel caso in cui l’ATP dei due elementi sono funzioni parallele della temperatura. In questo caso m A=m B=m, per cui il potere termoelettrico della coppia sarà una costante rispetto alla temperatura: dEAB = c3 dT T EA B = Ú c3 dT = E0 + c3 ⋅ (T - T0 ) T0 Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 32 ATP e Livello di Fermi z z z La richiesta di andamenti paralleli è il motivo per cui solo pochi elementi e leghe vengono comunemente usati per realizzare le termocoppie. In pratica le pendenza m dei termoelementi di una coppia non saranno mai perfettamente uguali. Inoltre bisogna considerare che gli andamenti reali dell’ATP sono in genere non lineari, per cui si può parlare di pendenza solo in un intervallo di temperatura la cui ampiezza dipende dalla non linerarità della funzione stessa. La grandezza S è funzione del Livello di Fermi del materiale p 2 K 2T S=6 e EF Metalli nobili monovalenti (oro, argento, rame) S=- p 2 K 2T 6 e ( E0 - EF ) È p 2 Ê KT ˆ 2 ˘ EF (T ) = EF0 Í1- Á 0 ˜ + º˙ 12 Ë EF ¯ Î ˚ Metalli di transizione (palladio, stagno, manganese) La dipendenza dell’ATP dal Livello di Fermi può essere utilizzata per realizzare sensori di grandezze chimiche. Ad esempi se uno dei rami è formato da palladio, un metallo in grado di adsorbire idrogeno e, di conseguenza, di variare la funzione lavoro. Usando una termocoppia Au-Pd, tenendo le due giunzioni a temperatura costante, ad esempio 77K (temperatura di ebollizione dell’azoto) e 0°C (temperatura di fusione del ghiaccio) ed esponendo la termocoppia ad un flusso di idrogeno, si osserva che la fem della termocoppia cambia. Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 16 33 Configurazioni di misura Schema generico di misura 8.1 Se uno dei due rami è di rame 8.2 La fem tipica è dell’ordine del µV per cui è necessario amplificare Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 34 Connessioni multiple Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 17 35 Misura di temperatura media connessione in parallelo z Servono termocoppie uguali Circuito equivalente 8.6 Vi In cui V1 , V2 ,… , Vn sono le tensioni delle varie termocoppie , mentre le Ri (supposte tutte uguali ad R ) sono le resistenze delle termocoppie. Se la tensione d’uscita Vo è prelevata da un’amplificatore che non assorbe corrente, allora in quel punto la somma delle correnti deve risultare nulla z V -V  i Ri o = 0 z Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group Vo = ÂR i i 1 Âi R i = 1 ÂV n i i la resistenza d’uscita ha la seguente espressione: ROUT = R/n che diminuendo all’aumentare di n potrebbe divenire troppo piccola rispetto al valore ideale richiesto da un amplificatore, a causa del rumore 36 Misura di temperatura media connessione in serie Circuito equivalente T z Vo = DV1 + DV2 + DV3 = a (T1 + T2 + T3 –3T0) = 3a ( <T>- T 0) z Al contrario della connessione parallelo in questo caso la Rout è la somma di tutte le resistenze. Questo comporta due effetti contrastanti: y y Il valore della R out tende ad avvicinarsi al valore ottimale richiesto in ingresso all’amplificatore perché questo produca il minimo rumore possibile. La connessione di più termocoppie in serie può generare un rumore consistente che prima avremmo trascurato. Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 18 37 Voltmetro di valore efficace T vrms = z z 1 2 v ( t )dt T Ú0 Ê 2p ˆ v( t ) = Vsin Á t Ë T ¯ fi il valore efficace di un segnale di tensione è, per definizione, quel valore di tensione continua che dissipa sul resistore la stessa potenza del segnale. il segnale v i (AC) dissipa sul resistore R1 una potenza P1=v rms2 /R1 che aumenta la temperatura in G 1. L’aumento di temperatura, se A è positivo rispetto a B, causa, per effetto Seebeck, una tensione continua e positiva in ingresso all’operazionale. Poiché l’op.amp., collegato in catena aperta, tende a mantenere a 0 la sua tensione d’ingresso, esso fornisce una corrente d’uscita (DC) che scorrendo sul resistore R 2 (=R1) dissipa una potenza Po=V 02 /R2 che aumentando la temperatura in G 2 diminuisce l’effetto Seebeck fino a raggiungere l’equilibrio. In tali condizioni si ha P o = P 1 e quindi l’uscita Vo è un segnale DC esattamente uguale a vrms. vrms = V . 2 buffer ~ G1 z G0 G2 Condizioni di buon funzionamento: y y Che le due termocoppie risultino identiche. Che la temperatura T 0 abbia le caratteristiche di un riferimento (ottenibile con dispositivi come il diodo o il transistor che hanno con la temperatura un legame ben definito). Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 38 Termopila z Una termopila è composta da n termocoppie connesse in serie dove l’effetto Seebeck risulta uguale a: z La termopila aumenta di n volte la tensione d’uscita generata, ma ciò si paga con un conseguente aumento dell’area da mantenere ad una temperatura T. L’uso della termopila come sensore di temperatura (in applicazioni calorimetriche) risulta efficiente per la sua accresciuta sensibilità, ma, a causa dell’estesa area di misura, la temperatura misurata è in realtà una temperatura media. Con la microelettronica è possibile realizzare dei film di termopile, ottenendo così una microtermopila . Ad esempio una microtermopila costituita da 90 termocoppie in serie raggiunge 2.28 mV/°C , sopportando però una differenza di temperatura massima di 12 °C. La termopila presenta inoltre il problema di un maggiore rumore Johnson. Vo = n (PTE AB ) D T z z z Area di misura Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 19 39 Circuito per la Compensazione termica z z Il circuito si basa sul bilanciamento della tensione d’uscita in funzione della variazione della temperatura di riferimento intorno al suo valore desiderato TO. R(1+x) è un RTD che sente la variazione di temperatura (TA – T0 ) che si vuole compensare. essendo x=k(TA – T0) con k coefficiente termico della resistenza V p = Vi + V Vi = ( PTE )(T - TO ) Vo = V i + V Vo = (PTE )(T - TA ) + R (1 + x ) V = V0 + R + R (1 + x ) 2 (1 + x ) V (2 + x ) 2 xV xV = ( PTE )(T - T0 ) - ( PTE )(TA - T0 ) + = 2( 2 + x ) 2(2 + x) = ( PTE )(T - T0 ) - (PTE )( TA - T0 ) + V k (TA - T0 ) 4 z quindi si ha compensazione se (V/4)k =PTE Corrado Di Natale, Sensors and Microsystems Group 20