Front-End VLSI CMOS 0.35u per dispositivi SiPM mirato ad

Front-End VLSI CMOS 0.35mm per
dispositivi SiPM mirato ad
applicazioni TOF con soglia
regolabile ed ampio range dinamico.
Davide Badoni – INFN Roma Tor Vergata
Collaborazione Altcriss-Sirad
1st Workshop su “Photon Detection” 13-14 giugno 2007
Sommario


L’ idea generale del presente progetto.
Caratterizzazione, studio e realizzazione del modello del SiPM (MEPHI
3x3 - 5625 pixels) finalizzato alla simulazione in un ambiente di
simulazione analogica (Spectre-Cadence) (SiPM del MEPHI)

Considerazioni sulla scelta del circuito di ingresso.

Il chip pilota.

Il canale analogico.

Risultati di simulazione.

Conclusioni.
I.N.F.N. Roma2
Davide Badoni
L’ idea generale del presente progetto

Generare un trigger quando un gruppo di fotoni colpisce il SiPM.

Trigger generato quando il segnale supera una soglia prefissata
regolabile.

Il range di regolazione della soglia copre tutto il range dinamico
del SiPM.

In caso di arrivo di gruppi di fotoni con rate bassa, vengono
selezionati gli eventi con intensità maggiore o uguale alla
corrispondente soglia.
I.N.F.N. Roma2
Davide Badoni
Modello semplificato del SiPM (1)

Singolo pixel




I.N.F.N. Roma2
Idark-pix tiene conto della corrente termica
temperatura e tensione di bias Vb.

Cd-pix: capacità di giunzione  Vb profondità
dello strato di svuotamento.
La Rs-pix: resistenza ohmica per la limitazione nel
geiger mode.
Generatore di corrente Idark-pix: effetto del fotone
incidente: è stato scelto una forma quadra con una
fissata durata temporale T (molto breve).
Scegliendo differenti ampiezze I siamo in grado di
simulare diverse produzioni di carica Q(t)=I*T 
guadagno del SiPM.
Davide Badoni
Modello semplificato del SiPM (2)


Le misure per ricavare i parametri possibili solo sull’array
completo di pixels.
Ipotesi:
approssimazione e riduzione: Parametri identici tra pixels. Stessa
struttura: parametri riscalati linearmente.
Modello
Array
Modello globale
I.N.F.N. Roma2
Davide Badoni
Modello semplificato del SiPM (3)



Misure al buio: i contributi
dei generatori di corrente
sono piccoli e si considerano
globalmente come una
corrente media.
Risposta al gradino per
stimare RS e Cd
L’andamento trovato è del
tipo:
1
Cd 
Vb
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Davide Badoni
Modello semplificato del SiPM (4)


I.N.F.N. Roma2
MODELLO Array:
Impulso da singolo fotone
equivalente:
caricato su 50 W
caricato su 500 W
MODELLO Globale:
Impulso da singolo fotone
equivalente:
caricato su 50 W
caricato su 500 W
Davide Badoni
Parametri: linearità

Linearità dell’ampiezza di picco del segnale rispetto a n fotoni
incidenti: dipende dal numero M di pixels e n<M.

Il SiPM trattato M=5625 è lineare fino a circa 1000 pixels.


Guadagno tipico 106  Fissiamo 400 000 e- ovvero
64 fC/pixel.
FISSATA l’ impedenza di ingresso del preamplificatore che né
determina la costante di tempo
 il valore di picco del segnale in corrente per 1 pixel vale è
una quantita’ K (volt o ampere) fissata.
I.N.F.N. Roma2
Davide Badoni
Parametri: range dinamico
40
Peak current (I) / k
n=2
n = 40
20
10
3
2
1
t
I.N.F.N. Roma2
Davide Badoni
Circuito di ingresso dell’amplificatore
per SiPM: vincoli e scelte

Range dinamico -- scelta di amplificatore in corrente

Velocità di risposta al fronte di salita.

Riduzione al minimo del recovery time del sistema:
Costante di tempo del circuito d’ingresso più bassa possibile.
Bassa impedenza  Amplificatore di corrente
Esempio di possibile
accoppiamento
C
R
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Davide Badoni
Stadio di ingresso
Preamplificatore
Bassa impedenza
di ingresso
Chip prototipo pilota (1)

Implementazione in VLSI full-custom in tecnologia CMOS AMS 0.35μm
4 metalli di un front-and analogico per i SiPM.

Scopo del chip pilota è anche quello di verificare le caratteristiche della
catena analogica di preamplificazione-amplificazione.

Alcune peculiarità da mettere in evidenza:


Capacità di rivelazione di singolo fotone.
Range dinamico e linearità, legati alla saturazione del numero di pixel colpiti
(es. 1-1000 per il 3x3).

Elevate caratteristiche di timing (risoluzione temporale < 300 ps).

Guadagno elevato (ordine 106)
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Davide Badoni
Preamplificatore low-voltage
“Fully differential” in corrente (1)

SiPM
In +
Vb
RL
Differenziale A
Out +

Feedback

In -
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Differenziale B
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Aumento della
banda
passante.
Out-
Diminuzione
dell’impedenza
di ingresso.
Immunità al
rumore di
modo comune
esterno.
Preamplificatore low-voltage differenziale in
corrente: schematico semplificato di un lato
del circuito
Vdd
Vdd
Ibf
Current In
Ib
Output feedback
Voltage
Out

Idea di base: Current amplifier “fully balanced” con current mirror.

Riduzione degli effetti negativi del mismatch tra i mosfets
I.N.F.N. Roma2
Davide Badoni
Preamplificatore low-voltage
differenziale in corrente
I.N.F.N. Roma2
Davide Badoni
Circuito di accoppiamento: coppia
differenziale


I.N.F.N. Roma2
E’ necessario ritornare al
single-ended perchè il
current comparator è uno
zero crossing single ended.
Si sfrutta la seconda uscita
in tensione per prelevare il
segnale da inviare ai buffer
di uscita.
Davide Badoni
Fast current comparator



I.N.F.N. Roma2
E’ uno zero crossing molto
veloce.
Lavora egregiamente con
piccole correnti ma anche per
correnti elevate.
La versione implementata è
più complessa ed elaborata di
questa di basa illustrata, per
ottenere maggiori prestazioni
in timing per basse correnti.
Davide Badoni
Pulse extender
Durata impulso in uscita regolabile.
I.N.F.N. Roma2
Davide Badoni
Chip prototipo pilota – schema generale
In+
Preamplificatore
differenziale
in corrente
In-
x1
x10
Double buffer
Out trigger
Pulse Extender
Accoppiamento
Discriminatore
a soglia
Lo schema a blocchi
rappresenta l’attuale
progetto di front-end
analogico per i SiPM in
cui ciascun canale
consiste di:
DAC in corrente
DIGITALE
Interfaccia
Controlli
I.N.F.N. Roma2

Preamplificatore fully
differential in corrente

Buffer di uscita in
tensione

Generatore di soglia
programmabile

Discriminatore in
corrente.
Registri soglia
Bias generators
Davide Badoni
Simulazioni: risultati preliminari:
prestazioni e parametri sensibili (1)


Effettuate simulazioni complete: TIPICA – CORNERS - MONTECARLO
Range dinamico di regolazione soglia:
160 uA per il massimo di 1000 pixels equivalenti regolabile a
step di 1 pixels (160 nA) con un valore minimo di 3 pixels.

Offset sulla soglia

Tempi di salita del segnale in ingresso al comparatore: circa 2 ns.

Delay (tra attraversamento soglia e start trigger)

Potenza dissipata: 16 mW

Jitter intrinseco stimato
I.N.F.N. Roma2
Davide Badoni
Simulazioni: risultati preliminari:
offset sulla soglia
Montecarlo

Corners: variazione temperatura 0-80 gradi C
Poiché l’offset può essere regolato indipendentemente per
ciascun canale e non c’è eccessivo drift in temperatura la
regolazione è efficace.
I.N.F.N. Roma2
Davide Badoni
Simulazioni: risultati preliminari: jitter
intrinseco.
Il jitter intrinseco è stato stimato con una analisi spettrale
del rumore intrinseco riportato in ingresso al comparatore
(~ 270 nA equivalenti)
Inoise
In+
Preamplificatore
differenziale
in corrente
In-
x1
x10
Double buffer
Out trigger
Pulse Extender
Accoppiamento
Discriminatore
a soglia
DAC in corrente
Il risultato è un valore massimo compreso tra 20ps e 50ps nelle
varie condizioni di simulazione
I.N.F.N. Roma2
Davide Badoni
Simulazioni: risultati preliminari: Soglia
massima impostata vs. segnale rivelato

I.N.F.N. Roma2
Soglia massima impostata
per ottenere il trigger in
funzione dell’ampiezza
dell’impulso di corrente
(n. di pixels).
Davide Badoni
Layout
I.N.F.N. Roma2
Davide Badoni
Conclusioni e prossimi passi

Il chip implementa 8 canali con un minimo di elettronica di readout.

I risultati della simulazione schematico sono soddisfacenti.

Il disegno del layout è appena terminato.

Si utilizza il circuito EUROPRACTICE (Multiwafer projects), l’area di
silicio prevista è di 10 mmq

Il run previsto è quello di luglio.

I test che sarà possibile attuare su questo prototipo permetteranno di
aggiustare e consolidare il tiro sulle scelte circuitali in atto.
I.N.F.N. Roma2
Davide Badoni