Previsioni sulla memoria Guardiamo nella sfera di cristallo o…? “ …stimolata dalla domanda crescente di memorie veloci e a bassa alimentazione in dispositivi consumer portatili e intelligenti come i tablet e gli smartphone. ” Mark Cundle, Technical Marketing Manager S e esiste un'area di prodotti di base nel settore dei semiconduttori, questa è la memoria. Sicuramente si tratta dell'area oggetto del maggiore interesse nelle contrattazioni: l'aumento o la diminuzione del prezzo di vendita medio di qualsiasi chip di DRAM tra i più richiesti, solitamente viene citato come un punto di riferimento per l'intero settore dei semiconduttori. Mercati e produttori Dal punto di vista del business, attualmente il mercato dei semiconduttori raggiunge un fatturato di 300 miliardi di dollari l'anno, gran parte del quale è dovuta ai chip di memoria – ma si tratta di una quota estremamente variabile, di anno in anno. I costi sostenuti da un produttore per mantenersi sul mercato sono elevati, i margini sempre più esigui e i profitti spesso vengono realizzati unicamente negli anni positivi, tranne forse per i leader del mercato. Il settore sta assistendo a una riduzione nel numero dei partecipanti principali – ovvero coloro che possono vantare comunque una quota superiore al 5% del mercato – mentre nell'ultimo decennio circa si è verificato un ampio consolidamento dei fornitori di memoria. Questa evoluzione ha riguardato in primo luogo la DRAM e, negli ultimi anni, ha scompaginato l'assetto dei produttori leader di memorie non volatili (NVM), che prevalentemente corrispondono alla memoria Flash. Elaborazione, architettura e interconnessione Sul piano delle tecnologie, una delle difficoltà principali nello sviluppo dei chip di memoria consiste nel tenersi al passo con il miglioramento delle prestazioni dei microprocessori e fornire memorie più veloci e a minore consumo energetico. I produttori di memoria sono sempre più sotto pressione per apportare miglioramenti alle architetture e passare a nodi di elaborazione ridotti, anche se naturalmente la memoria mantiene la priorità nello sviluppo dei dispositivi al silicio. Le contingenze economiche della miniaturizzazione tecnologica hanno indotto i produttori leader delle memorie DRAM a iniziare la produzione al nodo da 30 nm, mentre alcuni fornitori stanno campionando dispositivi a 25 nm. Nella memoria Flash NAND, il tipo di memoria Flash più comune utilizzato per l'archiviazione dei dati nei dischi allo stato solido, nelle unità Flash USB e nelle schede di memoria multimediale, attualmente i produttori leader iniziano a realizzare memorie a 64 Gbit in tecnologie di produzione variabili da 20 a 30 nm. Di fronte all'importanza crescente delle tecnologie di memoria 3D, sono inoltre necessarie architetture e strutture di memoria innovative: a livello di tecnologia di produzione, con celle di memoria DRAM implementate in strutture 3D, e a livello dello stampo in silicio, con la sovrapposizione dei moduli DRAM utilizzando interconnessioni TSV (Through-Silicon-Via) per soddisfare le esigenze di alta densità. Lo sviluppo avanzato delle memorie Flash NAND 3D con strutture a gate verticali, che garantiscono un livello elevato di resistenza e affidabilità, è una prospettiva che sembra destinata a concretizzarsi nel prossimo anno. Un altro aspetto problematico nel settore è il potenziale dello standard di interconnessione ad alto rendimento di prossima generazione. All'inizio del 2011, JEDEC ha annunciato lo standard Universal Flash Storage (UFS), concepito quale specifica più avanzata per l'archiviazione nelle memorie Flash integrate e rimovibili. 18 eTech - NUMERO 9 “ Attualmente il mercato dei semiconduttori raggiunge un fatturato di 300 miliardi di dollari l'anno. ” Lo standard è stato messo a punto appositamente per le applicazioni mobili e i sistemi informatici che richiedono prestazioni elevate e bassi consumi. Flash: espansione e innovazione? Oggi il mercato Flash sta conoscendo una notevole espansione, stimolata dalla domanda crescente di memorie veloci e a bassa alimentazione in dispositivi consumer portatili e intelligenti come i tablet e gli smartphone. Secondo i dati del 2010 dell'analista di mercato IHS iSuppli, la tecnologia di memoria leader per le applicazioni portatili nei prossimi anni sarà la Flash NAND. Si prevede che questa tecnologia nel 2011 fornirà circa la metà del fatturato totale nel mercato delle memorie per i prodotti portatili, seguita dalla DRAM, con una quota di circa un terzo, e dalla Flash NOR per la parte rimanente. Come considerazione collaterale, nessuna di queste tecnologie limiterà il ruolo dei dischi rigidi tradizionali, che offrono capacità di archiviazione ad alta densità sempre maggiori e che, nel breve periodo, non usciranno dai mercati consumer dei dispositivi mobili, dei server e dei computer portatili. Benché ciò sia improbabile nel futuro immediato, dove l'utilizzo delle memorie Flash continua ad aumentare con una vitalità inalterata, forse alcuni degli sviluppi più interessanti che stanno avvenendo nella tecnologia delle memorie sono le numerose sostituzioni possibili per le memorie Flash nelle applicazioni autonome e integrate. I concorrenti principali offrono diversi vantaggi rispetto alle memorie Flash, ad esempio tempi di lettura/scrittura 100 volte più rapidi e una resistenza per i cicli di scrittura significativamente superiore: I dati della memoria PCM (Phase-Change Memory) vengono generati quando si applicano vari livelli di corrente al materiale vetroso della PCM, modificando la struttura fisica del materiale stesso dallo stato cristallino a quello amorfo. Poiché la corrente può essere erogata a livelli variabili, la PCM può consentire l'archiviazione di più di bit di dati per cella. La memoria FeRAM o FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) si comporta in modo analogo alla DRAM, per il fatto che consente l'accesso casuale a ciascun bit per le operazioni di lettura e scrittura. Comprende un condensatore con materiale ferroelettrico che, all'applicazione di un campo elettrico, viene polarizzato. La memoria MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) e la MRAM di seconda generazione, denominata SST-MRAM (Spin Transfer Torque MRAM) utilizza elementi di archiviazione magnetici. Questa tecnologia promette di sostituire potenzialmente non soltanto la memoria Flash, ma anche la DRAM e la SRAM. La tecnologia della RAM resistiva (RRAM) si basa sulla commutazione elettronica (indotta da corrente o tensione) di un materiale utilizzato come resistenza fra due stati resistivi stabili (basso/alto). Secondo l'Istituto di ricerca IMEC, i dispositivi RRAM con una struttura a elementi sovrapposti potrebbero essere immessi sul mercato a 11 nm. IMEC ritiene che la memoria Flash raggiungerà 20 nm, con la Flash SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) come fase intermedia ai nodi da 17 e 14 nm. TROVA: www.rs-components.com/memory Condividi le tue opinioni... www.designspark.com/etech eTech - NUMERO 9 19