Titolare del corso
Prof. Luigi Schiavulli, Professore associato, Dipartimento Interateneo di Fisica della Facoltà di
Scienze MM.FF.NN tel +39.80.5443243 fax. +39.80.5442434 e-mail [email protected]
Curriculum scientifico
Subito dopo la laurea ha iniziato la sua attività di ricerca interessandosi dei fondamenti della
Meccanica Quantistica approfondendo alcuni aspetti legati alla località di Einstein e, in particolare,
ad alcune conseguenze della disuguaglianza di Bell.
Successivamente i suoi interessi scientifici si sono interamente rivolti verso la fisica dei
semiconduttori. Si è interessato delle proprietà di trasporto di film di silicio amorfo cresciuto a
partire da diversi composti e con diverse tecniche di crescita. Ha studiato il silicio amorfo e
microcristallino prodotto da silano (SiH4). da tetracloruro di silicio (SiCl4) e da tetrafluoruro di
silicio (SiF4) per deposizione chimica da fase vapore accresciuta via plasma (PECVD) ottenuti
presso il Centro di Chimica dei Plasmi del CNR di Bari; silicio amorfo ottenuto presso 1'Istituto di
Fisica Superiore dell'Università di Torino a partire da disilano (Si2H6) cresciuto per deposizione da
fase vapore a bassa pressione (LPCVD); silicio amorfo prodotto presso il CISE di Milano partendo
dal silano e utilizzando la deposizione chimica da fase vapore indotta tramite Laser (LCVD); leghe
amorfe di silicio germanio cresciute per PECVD presso il Dipartimento di Fisica dell'Università di
Roma I e presso il Centro di Chimica dei Plasmi di Bari. Successivamente il candidato si è
interessato della deposizione e della caratterizzazione di arseniuro di gallio amorfo per "sputtering"
reattivo a radiofrequenza.
L'attività di ricerca sul silicio amorfo è stata parzialmente svolta nell'ambito dei due Progetti
Finalizzati Energetica del Consiglio Nazionale delle Ricerche, (CNR). Nella propria attività di
ricerca si è anche interessato dello studio delle proprietà di trasporto elettronico e fotoelettronico di
nuovi materiali: fullerene (C60) e strutture a buche quantiche di materiali II-VI e III-V. Queste linee
di ricerca si inquadrano all'interno della sezione E dell'Istituto Nazionale di Fisica della Materia:
In collaborazione con un gruppo INFN dell'università di Bari si è interessato del danneggiamento da
radiazione di rivelatori al silicio.
Il lavoro svolto nell'ambito della fisica dei semiconduttori può essere inquadrato nei seguenti temi
di ricerca:
B) Proprietà di trasporto in semiconduttori amorfi e policristallini.
C) Proprietà di trasporto in semiconduttori compositi.
D) Proprietà di trasporto elettronico e fotoelettronico di fullerene.
E) Proprietà optoelettroniche di nanostrutture di semiconduttori.
F) Studio del danneggiamento da radiazione di rivelatori al silicio.
G) Proprietà elettroniche della superficie di GaAs passivata via plasma.
Recentemente, in collaborazione con gruppi di ricerca della Facoltà di Medicina delle Università di
Bari e di Foggia si sta interessando delle proprietà fisiche di film sottili di melanina nell’ottica di
fornire una migliore comprensione degli aspetti patologici della melanogenesi. Inoltre, si sta
occupando della messa a punto di un sistema di datazione di reperti archeologici e/o geologici
tramite termoluminescenza.
H) Proprietà di trasporto di materiali compositi Metallo - Polimero.
I) Proprietà elettriche di film di melanina.
L) Datazione di reperti geologici/archeologici tramite termoluminescenza e luminescenza stimolata
otticamente
M) Precursori di fenomeni sismici
