Fondamenti di Elettronica - Esercizi di autovalutazione

Fondamenti di Elettronica - Esercizi di autovalutazione
Semplici domande ed esercizi di autovalutazione. Altre tipologie di esercizi si possono trovare nei
siti web di alcuni dei docenti delle altre sezioni, o saranno proposte in aula.
Fisica dei dispositivi
Che relazione c’è tra n e p in un semiconduttore drogato all’equilibrio termico?
Se ND è la concentrazione dei droganti in un semiconduttore tipo n, quanto vale la concentrazione
delle lacune p all’equilibrio termico?
Quali sono i meccanismi di trasporto di carica che si possono avere nei semiconduttori drogati?
Quando si ha corrente di diffusione in un semiconduttore? Che relazione c’è tra corrente di
diffusione e concentrazione locale dei portatori?
Sapendo che la concentrazione di portatori liberi in un semiconduttore intrinseco a Tambiente è di 1010
cm-3, a quanto ammonta la concentrazione di elettroni e lacune in un semiconduttore drogato con
1016 cm-3 atomi donori?
Cosa si intende per semiconduttore drogato? Che relazione c’è tra concentrazione dei droganti e
concentrazione dei portatori liberi in un semiconduttore all’equilibrio termico a temperatura
ambiente?
Si descriva brevemente la ragione per cui un atomo donore in un cristallo di silicio fornisce
facilmente un elettrone ed un atomo accettore fornisce una lacuna.
Diodo
Disegnare una giunzione pn brusca e indicare le componenti delle correnti che la attraversano
all’equilibrio termico. Quanto vale la somma di tutte queste componenti?
Un diodo ha il catodo a massa e l’anodo collegato a una resistenza da 6.3 kΩ. il cui altro estremo è
collegato a un generatore di tensione di 7 V:
a) trovare analiticamente e graficamente il punto di lavoro del diodo;
b) calcolare la resistenza differenziale del diodo nel punto di lavoro.
Perché si forma la zona di svuotamento in una giunzione pn all’equilibrio?
Disegnare la caratteristica completa I/V di una giunzione pn e indicare la zona Zener.
Scrivere la relazione tra corrente e tensione in un diodo e fornire il significato dei vari termini che vi
compaiono.
Qual’è il processo fisico che determina la corrente in una giunzione pn polarizzata in diretta?
Mos
Quanto vale l’impedenza vista dal gate di un MOSFET? Si giustifichi la risposta.
Si descriva brevemente la differenza tra un MOSFET a canale n ad arricchimento (enhancement) ed
un MOSFET a canale n a svuotamento (depletion).
Quale tipo di portatori formano il canale di un MOSFET in cui il substrato è di tipo p? Si
descrivano brevemente le ragioni fisiche che portano alla formazione di queste cariche.
Si indichi come viene realizzata una Porta di Trasmissione con due MOSFET, uno di tipo-n ed uno
di tipo p. Quali sono i principali vantaggi offerti da questa soluzione rispetto a quella che utilizza un
solo MOSFET?
Descrivere il funzionamento di un MOS a canale n ad arricchimento e tracciarne le caratteristiche di
uscita ID/VDS, precisando se passano per l’origine degli assi.
Definire analiticamente la transconduttanza di un MOS e mostrare come ricavarla graficamente
Definire la tensione di soglia nei MOS, precisandone la polarità in funzione del tipo di canale.
Tracciare le caratteristiche di uscita e di trasferimento di un MOSFET a canale n, indicando su
queste come ricavare la tensione di soglia.
Che cosa si intende per pinch-off di un Mos?
Disegnare il circuito equivalente per piccoli segnali di un Mosfet ed illustrare il significato degli
elementi che vi compaiono.
Si commenti brevemente le caratteristiche dello stadio Source Follower come “Buffer” di tensione.
Elettronica digitale
Definire i margini di rumore per lo stato alto e basso per la famiglia logica CMOS.
Due famiglie logiche presentano un “power-delay product” rispettivamente di 10 e di 100 pJ. Quale
giudicate migliore e perché?
Si disegni lo schema elettrico di un inverter CMOS. Si discuta brevemente lo stato di
funzionamento dei due transitori che lo compongono nel caso in cui l’ingresso si trovi al valore alto
(Vdd).
Per un comparatore digitale di parole a 1 bit scrivere la funzione logica di uguaglianza e mostrarne
una possibile implementazione.
Supponendo di aver utilizzato porte logiche con ritardo di propagazione tp=2ns dopo quanto tempo
dall’arrivo degli ingressi è disponibile il dato in uscita?
Disegnare la struttura di un latch SR e descriverne sinteticamente il funzionamento.
A quali requisiti di ampiezza e di durata deve soddisfare il segnale rettangolare di comando di un
latch SR realizzato con porte NAND CMOS, assumendo noti i valori di tensione dei punti
significativi della caratteristica IN/OUT di un invertitore CMOS e il suo ritardo di propagazione?
Si dispone di FF JK tipo master-slave edge triggered. Realizzare un contatore binario asincrono a 4
bit e disegnarne il diagramma temporale.
Disegnare lo schema di un divisore di frequenza per 5, utilizzando FF JK master-slave edge
triggered.
Utilizzare invertitori CMOS con tempo di propagazione di 4 ns per realizzare, mediante ring
oscillator, un clock a 50 MHz.
Quanti bit sono necessari per indirizzare una ROM da 128x8 bit? Quanti sono i bit nella parola di
uscita?
Si dispone di ROM da 256x4. Come si può ottenere una memoria da 256x8?
E da 512x4? Disegnarne lo schema di principio.
Mostrare, mediante un diagramma temporale, la differenza tra tempo di accesso e tempo di ciclo in
una memoria.
Un FAMOS programmato è equivalente a un interruttore aperto o chiuso? Giustificare la risposta.
Mostrare che la cella di memoria di una RAM statica può avere solo due punti di lavoro stabili.
L’operazione di “refresh” è necessaria in una SRAM o in una DRAM? Giustificare la risposta.
In una DRAM la capacità di memoria CM sia di 100fF e la capacità della bit-line CL sia di 5 pF.
Supponendo che la capacità CL sia precaricata a 2.5V, quale è la variazione di tensione sulla bit-line
quando si legge uno zero immagazzinato in CM?
Si consideri una cella base di memoria riscrivibile (ad esempio EEPROM o FLASH). Si discuta
brevemente come la presenza o meno di elettroni nel “floating gate” determini lo stato di
programmazione della cella. Come avviene la scrittura e la cancellazione di una cella di memoria
FLASH?
Si discutano brevemente i principali vantaggi ed eventuali svantaggi delle celle di memoria RAM
statiche e RAM dinamiche.
Si discuta brevemente il meccanismo di indirizzamento di righe e colonne nelle memorie RAM
dinamiche.